[发明专利]太阳能电池装置及其制造方法有效
申请号: | 201280060723.X | 申请日: | 2012-06-19 |
公开(公告)号: | CN103988318A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 李东根 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池装置,包括:
在支撑基板上的太阳能电池;
在所述太阳能电池上的聚合物树脂层;
在所述聚合物树脂层上的保护板;以及
在所述支撑基板、所述太阳能电池、所述聚合物树脂层、以及所述保护板的每个侧面上的复合保护层。
2.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述复合保护层包含金属层和在该金属层上的金属氧化物层。
3.如权利要求2所述的太阳能电池装置,其中,所述复合保护层包括选自Al、Al合金、Ga、In、Mg、Zn及其组合中的一种。
4.如权利要求2所述的太阳能电池装置,其中,所述金属层包括铝,而所述金属氧化物层包括氧化铝。
5.如权利要求2所述的太阳能电池装置,其中,所述复合保护层的厚度在1μm到100μm的范围内。
6.如权利要求2所述的太阳能电池装置,其中,所述复合保护层的厚度在1μm到10μm的范围内。
7.如权利要求2所述的太阳能电池装置,其中,所述金属氧化物层厚度与所述金属层厚度的比值在1:5到1:10的范围内。
8.如权利要求1所述的太阳能电池装置,还包括围绕所述复合保护层的框架。
9.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述支撑基板、所述太阳能电池、所述聚合物树脂层以及所述保护板的侧面形成有从顶部看时形状相同的剖切面。
10.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述太阳能电池包括:
在所述支撑基板上的背电极层;
在所述背电极层上的光吸收层;以及
在所述光吸收层上的前电极层。
11.一种太阳能电池装置的制造方法,该方法包括:
在支撑基板上形成太阳能电池;
在所述太阳能电池上形成聚合物树脂层;
在所述聚合物树脂层上形成保护板;以及
在所述支撑基板、所述太阳能电池、所述聚合物树脂层、以及所述保护板的每个侧面上形成复合保护层。
12.如权利要求11所述的方法,其中,形成所述复合保护层包括:
在所述支撑基板、所述太阳能电池、所述聚合物树脂层、以及所述保护板的每个侧面上形成金属层;以及
通过氧化所述金属层形成金属氧化物层。
13.如权利要求12所述的方法,其中,形成所述金属层包括:
制备铝浆料组合物;
在所述太阳能电池、所述聚合物树脂层、以及所述保护板的每个侧面上涂覆所述铝浆料组合物;以及
烘烤所述涂覆的铝浆料组合物。
14.如权利要求12所述的方法,其中,所述金属氧化物层的厚度与所述金属层的厚度的比值在1:5到1:10的范围内。
15.如权利要求11所述的方法,其中,所述复合保护层的厚度在1μm到100μm的范围内。
16.如权利要求11所述的方法,其中,所述复合保护层的厚度在1μm到10μm的范围内。
17.如权利要求11所述的方法,其中,在所述支撑基板上形成所述太阳能电池包括:
在所述支撑基板上形成背电极层;
在所述背电极层上形成光吸收层;以及
在所述光吸收层上形成前电极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的