[发明专利]使用牺牲硅板形成宽沟槽的方法

权利要求书

1.一种形成封装宽沟槽的方法，所述方法包括：

提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片；

通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧；

通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧；

在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分；

在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分；

在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层；以及

刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一牺牲氧化部分包括：

氧化所述第一牺牲板的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括：

在所述第一牺牲氧化部分的上表面上形成氧化层。

4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

刻蚀所述第一牺牲板以便暴露第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分的相反侧；

在所述第一牺牲氧化部分和所述第二牺牲氧化部分的暴露的相反侧之间形成第三牺牲氧化部分；以及

刻蚀所述第三牺牲氧化部分。

5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：

在所述第一牺牲板上方形成掩模；和

用刻蚀剂使得所述第一牺牲板暴露。

6.根据权利要求1所述的方法，其中限定牺牲硅板的第一侧包括：

使用深反应离子刻蚀来刻蚀所述第一沟槽。

7.根据权利要求6所述的方法，其中限定第一牺牲硅板的第二侧包括：

限定第二牺牲硅板的第一侧。

8.一种在绝缘体上硅(SOI)晶片内形成沟槽的方法，所述方法包括：

在器件层内刻蚀第一沟槽；

在器件层内刻蚀第二沟槽，从而限定第一牺牲板；

在所述第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分；

在所述第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分；

牺牲所述第一牺牲板；

刻蚀所述第一牺牲氧化部分；以及

刻蚀所述第二牺牲氧化部分。

9.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括，在刻蚀所述第一牺牲氧化部分之前：

在所述第一牺牲氧化部分上方形成多晶硅层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中牺牲所述第一牺牲板包括：

氧化所述第一牺牲板以便形成第一牺牲氧化部分。

11.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括：

在所述第一牺牲氧化部分的上表面上形成氧化层。

12.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括：

刻蚀所述第一牺牲板以便产生第一间隙；

在所述第一间隙内形成第三牺牲氧化物；以及

刻蚀所述第三牺牲氧化物。

13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：

在所述第一牺牲板上方形成掩模；以及

使用刻蚀剂将形成有掩模的所述第一牺牲板暴露。

14.根据权利要求8所述的方法，其中刻蚀第一沟槽包括：

使用深反应离子刻蚀来刻蚀第一沟槽。

15.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括：

将第三沟槽刻蚀到绝缘层，从而限定第二牺牲板；

牺牲所述第二牺牲板以便形成第二间隙；

在所述第二间隙内形成第三牺牲氧化部分；以及

刻蚀所述第三牺牲氧化部分。