[发明专利]用于光刻法应用的近红外线吸收膜组合物

权利要求书

1.一种用于光刻法的近红外线(NIR)吸收膜组合物，其包含：

具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料：

可交联聚合物：及

交联剂。

2.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子为单价有机酸阴离子。

3.权利要求2的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子包括羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基团。

4.权利要求3的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子包括芳族基团。

5.权利要求4的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子具有以下结构：

其中S₁至S₅相同或不同，且各自独立地代表氢原子、直链或支链烷基、直链或支链烷氧基或羟基，先决条件是S₁至S₅中至少一个为羟基。

6.权利要求5的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子选自下组：

7.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述聚甲炔阳离子具有以下结构：

其中m和n相同或不同，且各自独立地代表0至2的整数；Z代表氢原子，卤原子，含有1至25个碳原子的直链、支链、环状或多环的饱和或不饱和基团，其中该直链、支链、环状或多环的饱和或不饱和基团任选包括一或多个选自氮、氧、硫和卤原子的杂原子；X₁和X₂相同或不同，且各自独立地代表氢原子，卤原子，或含有1至6个碳原子的直链、支链或环状基团，其中当X₁和X₂为含有1至6个碳原子的直链和支链基团时，它们可相互连接以形成五或六员环；R₁和R₂相同或不同，且各自独立地代表含有1至6个碳原子的直链或支链烷基基团、含有1至6个碳原子的直链或支链烷氧烷基基团或含有1至6个碳原子的直链或支链羟烷基基团；D1和D2相同或不同，且各自独立地代表-O-、-S-、-Se-、-CH＝CH-、-C(CH₃)₂-或-C-；且Z₁和Z₂相同或不同，且各自独立地代表一或多个稠合的取代或未取代的芳香环，其中当D₁为-C-时，D₁与Z₁相互连接以形成一或多个稠合的取代或未取代的芳香环，和当D₂为-C-时，D₂与Z₂相互连接以形成一或多个稠合的取代或未取代的芳香环。

8.权利要求7的NIR吸收膜组合物，其中所述聚甲炔阳离子选自下组：

9.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述NIR吸收染料在500纳米和1200纳米之间具有至少一个吸收峰。

10.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联聚合物包括具有羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基团的单体单元。

11.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其进一步包含酸产生剂。

12.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其进一步包含浇注溶剂。

13.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述NIR吸收膜组合物为抗反射层组合物。