[发明专利]气体阻隔膜

说明书

技术领域

本发明涉及气体阻隔膜。

背景技术

以往，在塑料基材、膜基材的表面形成了氧化铝、氧化镁、氧化硅等金属氧化物的薄膜(气体阻隔层)的气体阻隔膜，在需要水蒸气、氧等各种气体的遮断的物品的包装用途、用于防止食品、工业用品及医药品等的变质的包装用途中被广泛使用。另外，除上述包装用途以外，为了防止各种气体引起的变质，在密封太阳能电池、液晶显示元件、有机EL元件等电子器件的用途中被使用。

而且，近年来，除液晶显示面板等电子设备的大型化及轻量化的要求之外，增加了长期可靠性、形状的自由度高(例如，可以将显示面做成曲面形状)等要求，由此，取代重而容易断裂且大面积化困难的玻璃基材，开始采用透明塑料等膜基材。

但是，透明塑料等的膜基材存在与玻璃基材相比、气体阻隔性差这样的问题。例如，在液晶显示面板中使用了气体阻隔性差的基材的情况下，有时水蒸气、空气浸透，液晶单元内的液晶劣化并成为显示缺陷，使显示品质降低。因此，在膜基材上形成有气体阻隔层的气体阻隔膜作为有效的原料被使用。

作为包装用途、设备密封用途中所使用的气体阻隔膜，已知有在塑料膜上形成有将氧化硅、氧化铝蒸镀而成的气体阻隔层的气体阻隔膜。但是，通过蒸镀而形成了气体阻隔层的气体阻隔膜的水蒸气透过率(水蒸气阻隔性)为1g/m²/day左右，没有达到近年来所要求的0.1g/m²/day的水平。

另外，作为除蒸镀以外而形成气体阻隔层的方法，例如已知有使全氢聚硅氮烷(以下，也称为PHPS)、有机聚硅氮烷的涂膜进行二氧化硅转化的方法。作为二氧化硅转化的方法，有加热加湿处理、烧结处理，但这些方法存在如下问题点：气体阻隔层的形成需要长时间，此外，由于基材暴露于高温环境下，基材劣化。

因此，要求用更简便的方法、基材不劣化的方法得到具有良好的水蒸气阻隔性的气体阻隔膜。

例如，在专利文献1中公开有如下技术：出于使气体阻隔性提高的目的，在气体阻隔层的上层设置透明高分子层。

另外，在专利文献2中公开有与聚合物多层(Polymer Multilayer；PML)技术有关的技术。在该技术中，在挠性基板上通过涂敷而层叠聚合物层和氧化铝层而制作阻隔膜。记载有：得到的阻隔膜的水及氧的透过性与未涂敷的PET膜相比大幅度地改善。

另外，在专利文献3中公开有：在聚酯膜上涂布含有PHPS或有机聚硅氮烷的涂布液、通过等离子体处理使PHPS或有机聚硅氮烷固化、聚合而形成氧化硅系的无机高分子层的技术。该技术中的无机高分子层作为基材和金属蒸镀层的中间层、作为金属蒸镀层和基材的密合性的提高、用于使基材的化学的稳定性提高的层起作用。

另外，在专利文献4中公开有如下方法：关于磁性条带薄的保护层的制造，在氧及水蒸气的存在下，使用臭氧、原子状氧或真空紫外光将聚硅氮烷层进行改性。记载有：通过该方法，可将室温下的改性处理时间缩短到数分钟。该技术中所使用的真空紫外光仅为了使这些反应性种产生而使用。需要说明的是，记载有：通过在改性处理时加热到基材的容许温度界限(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯的情况下：180℃)，在约20nm的聚硅氮烷层中，在数秒～数分钟内完成转化、改性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平6-234186号公报

专利文献2:美国专利第5,260,095号说明书

专利文献3:日本特开平8-269690号公报

专利文献4:欧州专利第0,745,974号说明书

发明内容

发明所要解决的课题

但是，现状为：现有的气体阻隔膜不能得到满意的气体阻隔性，透明性、弯曲性也不充分。

本发明是鉴于上述课题而完成的发明，其目的在于，提供具有良好的气体阻隔性、透明性及弯曲性优异的气体阻隔膜。

用于解决课题的手段

为了解决以上的课题，权利要求1所述的发明的特征在于，其为在基材上具备至少1层气体阻隔层和与所述气体阻隔层邻接的含有有机硅的保护层的气体阻隔膜，其特征在于，

所述气体阻隔层在其至少一部分中具有SiO_xN_y的组成，满足0.1≤x/(x+y)≤0.9的条件，

所述保护层被实施了照射波长为300nm以下的紫外光的改性处理，

所述保护层的膜密度相对于所述气体阻隔层的膜密度之比为0.2以上且0.75以下。