[发明专利]硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法

权利要求书

1.一种硫化物固体电解质材料，其特征在于，含有M₁元素、M₂元素、S元素和O元素，

所述M₁至少含有Li，

所述M₂是选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种，

在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ＝29.58°±0.50°的位置具有峰，

使所述2θ＝29.58°±0.50°的峰的衍射强度为I_A、使2θ＝27.33°±0.50°的峰的衍射强度为I_B时，I_B/I_A的值小于0.50。

2.一种硫化物固体电解质材料，其特征在于，含有M₁元素、M₂元素、S元素和O元素，

所述M₁至少含有Li，

所述M₂是选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种，

在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ＝29.58°±0.50°的位置具有峰，

在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ＝27.33°±0.50°的位置不具有峰，或者

在所述2θ＝27.33°±0.50°的位置具有峰的情况下，使所述2θ＝29.58°±0.50°的峰的衍射强度为I_A、使所述2θ＝27.33°±0.50°的峰的衍射强度为I_B时，I_B/I_A的值小于0.50。

3.一种硫化物固体电解质材料，其特征在于，含有如下的晶体结构作为主体，所述晶体结构具有由M₁元素和S元素构成的八面体O、由M_2a元素和S元素构成的四面体T₁、和由M_2b元素和S元素构成的四面体T₂，所述四面体T₁和所述八面体O共用棱，所述四面体T₂和所述八面体O共用顶点，

所述M₁至少含有Li，

所述M_2a和所述M_2b各自独立地为选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种，

所述八面体O、所述四面体T₁和所述四面体T₂中的至少一者是所述S元素的一部分被置换成O元素而得到的。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的硫化物固体电解质材料，其特征在于，至少含有Li元素、Ge元素、P元素、S元素和O元素，

所述O元素相对于所述S元素与所述O元素的合计的比例为25％以下。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的硫化物固体电解质材料，其特征在于，至少含有Li元素、Si元素、P元素、S元素和O元素，

所述O元素相对于所述S元素与所述O元素的合计的比例为10％以下。

6.一种电池，其特征在于，是具有含有正极活性物质的正极活性物质层、含有负极活性物质的负极活性物质层、和在所述正极活性物质层与所述负极活性物质层之间形成的电解质层的电池，

所述正极活性物质层、所述负极活性物质层和所述电解质层中的至少一者含有权利要求1～5中任一项所述的硫化物固体电解质材料。

7.一种硫化物固体电解质材料的制造方法，其特征在于，是权利要求1或2所述的硫化物固体电解质材料的制造方法，具有以下工序：

离子传导性材料合成工序，使用含有所述M₁元素、所述M₂元素、所述S元素和所述O元素的原料组合物，利用机械研磨合成非晶化的离子传导性材料，和

加热工序，通过对所述非晶化的离子传导性材料进行加热而得到所述硫化物固体电解质材料。

8.一种硫化物固体电解质材料的制造方法，其特征在于，是权利要求3所示的硫化物固体电解质材料的制造方法，具有以下工序：

离子传导性材料合成工序，使用含有所述M₁元素、所述M_2a元素、所述M_2b元素、所述S元素和所述O元素的原料组合物，利用机械研磨合成非晶化的离子传导性材料，和

加热工序，通过对所述非晶化的离子传导性材料进行加热而得到所述硫化物固体电解质材料。