[发明专利]单片晶圆蚀刻设备有效
申请号: | 201280061973.5 | 申请日: | 2012-12-06 |
公开(公告)号: | CN103999197A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 李在桓;崔恩硕 | 申请(专利权)人: | LG矽得荣株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 归莹;张颖玲 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单片 蚀刻 设备 | ||
1.一种单片晶圆蚀刻设备,包括:
转盘,所述转盘具有稳固地布置在其上的晶圆,并且所述转盘的直径小于所述晶圆的直径;
喷嘴,所述喷嘴将蚀刻溶剂喷射到所述稳固地布置在转盘上的晶圆上;
使所述转盘旋转的驱动装置;以及
振动装置,所述振动装置在蚀刻溶剂从所述喷嘴喷射期间振动所述转盘。
2.根据权利要求1所述的单片晶圆蚀刻设备,进一步包括加热装置,所述加热装置在蚀刻溶剂从所述喷嘴喷射期间对所述转盘的各个区域进行加热。
3.根据权利要求2所述的单片晶圆蚀刻设备,其中,所述加热装置包括:
供热基体,所述供热基体具有在所述转盘上的分隔开的区域;
多个电力电缆,所述多个电力电缆将电力传输到所述供热基体的各个区域;以及
供电单元,所述供电单元将电力供给至所述电力电缆。
4.根据权利要求3所述的单片晶圆蚀刻设备,其中,所述供热基体包括多个供热区域,所述多个供热区域从所述转盘的中心沿着圆周方向分隔开并且从所述转盘的中心朝向圆周方向以温度降低的方式运转。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的单片晶圆蚀刻设备,其中,所述振动装置是被包含在所述驱动装置中的振荡器。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的单片晶圆蚀刻设备,其中,所述振动装置是被包含在所述转盘和所述晶圆之间的石英振动器。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的单片晶圆蚀刻设备,其中,所述振动装置是石英振动器,所述转盘具有安装到其上的晶圆。
8.一种单片晶圆蚀刻设备,包括:
转盘,所述转盘具有稳固地布置在其上的晶圆;
喷嘴,所述喷嘴将蚀刻溶剂喷射到所述稳固地布置在转盘上的晶圆上;
使所述转盘旋转的驱动装置;
供热基体,所述供热基体被包含在所述转盘上并且对所述转盘的各个区域进行加热;以及
振荡器,所述振荡器被包含在所述驱动装置中并且对所述转盘进行振荡。
9.根据权利要求8所述的单片晶圆蚀刻设备,其中,所述供热基体包括多个供热区域,所述多个供热区域从所述转盘的中心沿着圆周方向分隔开并且从所述转盘的中心朝向圆周方向以温度降低的方式运转。
10.根据权利要求8所述的单片晶圆蚀刻设备,其中,所述振荡器与所述喷嘴和所述供热基体相关联。
11.一种单片晶圆蚀刻设备,包括:
转盘,所述转盘具有稳固地布置在其上的晶圆,并且所述转盘的直径小于所述晶圆的直径;
喷嘴,所述喷嘴将蚀刻溶剂喷射到所述稳固地布置在转盘上的晶圆上;
使所述转盘旋转的驱动装置;
供热基体,所述供热基体被包含在所述转盘上并且对所述转盘的各个区域进行加热;以及
振动器,所述振动器被包含在所述供热基体中并且对所述转盘进行振动。
12.根据权利要求11所述的单片晶圆蚀刻设备,其中,所述供热基体包括多个供热区域,所述多个供热区域从所述转盘的中心沿着圆周方向分隔开并且从所述转盘的中心朝向圆周方向以温度降低的方式运转。
13.根据权利要求11所述的单片晶圆蚀刻设备,其中,所述振动器与所述喷嘴和所述供热基体相关联。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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