[发明专利]光致载流子寿命测量装置及光致载流子寿命测量方法

权利要求书

1.一种测量半导体衬底上产生的光致载流子的有效载流子寿命的光致载流子寿命测量装置，其特征在于，包含：

光照射部，其对所述半导体衬底照射用于产生光致载流子的、波长不同的至少两种光；

微波产生部，其产生对所述半导体衬底照射的微波；

检测部，其检测穿透所述半导体衬底的微波的强度；

运算部，其根据所述检测部中检测出的微波强度计算有效载流子寿命，

所述运算部

根据在照射所述至少两种光后检测出的微波强度，计算所述至少两种光的波长各自对应的有效载流子寿命，根据计算出的所述波长各自对应的有效载流子寿命计算所述半导体衬底的体内载流子寿命和表面复合速度。

2.根据权利要求1所述的光致载流子寿命测量装置，其特征在于：

所述运算部，

对以体内载流子寿命及表面复合速度为参数求出的、所述波长各自对应的有效载流子寿命的计算值，以及根据检测出的微波强度而计算出的、所述波长各自对应的有效载流子寿命的测量值，改变所述参数的值，并加以比较，求出所述波长各自对应的有效载流子寿命的计算值与所述波长各自对应的有效载流子寿命的测量值最匹配时所述体内载流子寿命及表面复合速度的值。

3.根据权利要求1所述的光致载流子寿命测量装置，其特征在于：

所述运算部，

对以体内载流子寿命的深度分布及表面复合速度为参数求出的、所述波长各自对应的有效载流子寿命的计算值，以及根据检测出的微波强度而计算出的、所述波长各自对应的有效载流子寿命的测量值，改变所述参数的值，并加以比较，求出所述波长各自对应的有效载流子寿命的计算值与所述波长各自对应的有效载流子寿命的测量值最匹配时所述体内载流子寿命的深度分布及表面复合速度的值。

4.根据权利要求2或3所述的光致载流子寿命测量装置，其特征在于：

所述运算部

对半导体衬底表面上形成有钝化膜的基准试样照射周期性脉冲光后，根据检测出的微波强度求出所述基准试样的有效载流子寿命，对所述基准试样照射连续光后根据检测出的微波强度求出所述基准试样的载流子面密度，根据所述有效载流子寿命以及载流子面密度，求出载流子产生率，根据对作为受测试样的半导体衬底照射连续光后检测出的微波强度求出的所述受测试样的载流子面密度，以及所述载流子产生率，计算所述有效载流子寿命的测量值。

5.根据权利要1～4中任意一项所述的光致载流子寿命测量装置，其特征在于：

所述至少两种不同的光是对所述半导体衬底吸收系数不同的两种光。

6.根据权利要求5所述的光致载流子寿命测量装置，其特征在于：

所述至少两种不同的光，是对所述半导体衬底吸收系数至少在两倍以上的不同的两种光。

7.一种测量半导体衬底上产生的光致载流子的有效载流子寿命的光致载流子寿命测量方法，其特征在于：

对所述半导体衬底照射用于产生光致载流子的波长不同的至少两种光，并对所述半导体衬底照射微波；

检测穿透所述半导体衬底的微波的强度；

根据在照射所述至少两种光后检测出的微波强度，计算所述至少两种光的波长各自对应的有效载流子寿命，根据计算出的所述波长各自对应的有效载流子寿命计算出所述半导体衬底的体内载流子寿命和表面复合速度。

8.根据权利要求7所述的光致载流子寿命测量方法，其特征在于：

对以体内载流子寿命及表面复合速度为参数求出的、所述波长各自对应的有效载流子寿命的计算值，以及根据检测出的微波强度而计算出的、所述波长各自对应的有效载流子寿命的测量值，改变所述参数的值，并加以比较，求出所述波长各自对应的有效载流子寿命的计算值与所述波长各自对应的有效载流子寿命的测量值最匹配时的所述体内载流子寿命及表面复合速度的值。

9.根据权利要求7所述的光致载流子寿命测量方法，其特征在于：

对以体内载流子寿命的深度分布及表面复合速度为参数求出的、所述波长各自对应的有效载流子寿命的计算值，以及根据检测出的微波强度而计算出的、所述波长各自对应的有效载流子寿命的测量值，改变所述参数的值，并加以比较，求出所述波长各自对应的有效载流子寿命的计算值与所述波长各自对应的有效载流子寿命的测量值最匹配时的所述体内载流子寿命的深度分布及表面复合速度的值。