[发明专利]用于极度边缘可调性的延伸和独立的射频驱动阴极基板

权利要求书

1.一种基板支座，包含：

第一电极，所述第一电极设置于所述基板支座内并具有周缘及第一表面；

基板支座表面，所述基板支座表面设置于所述第一电极的所述第一表面上方；以及

第二电极，所述第二电极设置于所述基板支座内并径向延伸越过所述第一电极的所述周缘，其中所述第二电极具有第二表面，所述第二表面设置于所述第一电极的所述第一表面周围与上方。

2.如权利要求1所述的基板支座，其特征在于，所述第一电极与第二电极为单一整合电极。

3.如权利要求1所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：

介电层，所述介电层位于所述第一电极与所述第二电极之间。

4.如权利要求1所述的基板支座，所述基板支座进一步包含以下之一：

第一电源，所述第一电源与所述第一电极及第二电极耦接，以提供RF能量至所述第一电极与第二电极；或

第一电源以及第二电源，所述第一电源与所述第一电极耦接以提供RF能量至所述第一电极，所述第二电源与所述第二电极耦接以提供RF能量至所述第二电极。

5.如权利要求1所述的基板支座，其特征在于，所述第一电极具有延伸越过所述支座表面的所述周缘的周缘，其中，所述第二电极具有延伸越过所述第一电极的所述周缘的周缘，所述基板支座还包括：设置于所述第一电极的所述周缘周围的介电层、以及设置于所述介电层周围的RF接地层。

6.如权利要求1至5的任一项所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：

静电卡盘，所述静电卡盘设置于所述第一电极上方，其中所述静电卡盘的上表面包含所述基板支座表面。

7.如权利要求1至2或4至5的任一项所述的基板支座，其特征在于，所述第二电极进一步包含：

基部，设置于所述第一电极上；以及

径向延伸部分，所述径向延伸部分设置于所述基部顶部并延伸越过所述第一电极的所述周缘。

8.如权利要求6所述的基板支座，其中所述基部与所述径向延伸部分为单一整合电极。

9.如权利要求6所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：

第一介电层，所述第一介电层设置于所述第一RF电极的所述周缘的周围；以及

RF接地层，所述RF接地层设置于所述第一介电层周围，其中所述第二RF电极的所述径向延伸部分至少部分位于所述第一介电层上方。

10.如权利要求8所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：

边缘环，所述边缘环设置于所述第二电极的所述径向延伸部分上方及邻近处，使得所述边缘环设置于所述第二电极的所述径向延伸部分与所述RF接地层之间。

11.如权利要求1至5的任一项所述的基板支座，其特征在于，所述第一电极进一步包含：

主体，所述主体由导电材料形成并具有数个通道，所述数个通道穿过所述主体设置。

12.如权利要求10所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：

热传介质源，所述热传介质源与所述数个通道耦接，以提供热传介质至所述数个通道。

13.如权利要求1至4的任一项所述的基板支座，其特征在于，所述第一电极具有一周缘，且其中，所述第二电极设置于所述第一电极周围并且径向延伸越过所述第一电极的所述周缘，所述基板支座还包括：设置于所述第一电极的所述周缘周围的第一介电层、以及设置于所述第一介电层周围的RF接地层。

14.如权利要求13所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：

边缘环，所述边缘环设置于所述第二电极上方及邻近处，使得所述边缘环设置于所述第二电极与所述RF接地层之间。

15.如权利要求13所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：

静电卡盘，所述静电卡盘设置于所述第一电极上方，其中所述静电卡盘的上表面包含所述基板支座表面。