[发明专利]用于压印光刻的无缝大面积主模板的制造有效
申请号: | 201280062807.7 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN104221127A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | D·J·雷斯尼克;M·N·米勒;F·Y·徐 | 申请(专利权)人: | 佳能纳米技术公司;分子制模股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 压印 光刻 无缝 大面积 模板 制造 | ||
相关申请的交叉参考
本申请要求2011年12月19日提交的序列号为61/577,135的美国申请为优先权,其整体内容合并于本文以供参考。
背景技术
纳米制造包括制造具有100纳米或更小量级特征的很小结构。纳米制造具有相当大影响的一个应用在于集成电路的加工。半导体加工业不断致力于更高的生产良率同时增加基板上每单位面积所形成的电路;因此纳米制造变得日益重要。纳米制造提供较大的工艺控制同时容许持续降低所形成结构的最小特征尺寸。已经采用纳米制造的其它发展领域包括生物技术、光学技术、机械系统、及类似领域。
现今使用的一种示例性纳米制造技术通常称之为压印光刻。示例性压印光刻工艺在许多公开中都有详细的描述,诸如美国专利公开2004/0065976、美国专利公开2004/0065252、及美国专利6,936,194,其皆合并于本文以供参考。
在上述美国专利公开及专利的每一个之中所公开的压印光刻技术包括在可成形(可聚合)层中形成凹凸图案以及将对应于该凹凸图案的图案转移至下面基板中。该基板可耦合至运动平台以获得一想要的定位以利于图案化工艺。图案化工艺使用与基板隔开的模板以及施加于模板与基板之间的可成形液体。使该可成形液体固化,以形成具有图案的刚性层,该图案和接触可成形液体的模板表面的形状一致。在固化之后,自刚性层分离模板使得模板与基板隔开。基板及固化层随后经历额外的工艺,以将对应于固化层中的图案的凹凸图像转移至基板内。
附图说明
可参照附图所示的实施例更特别地描述本发明的实施例,以详细理解本发明的特征及优点。然而需要注意,附图只显示本发明的典型实施例,因此认为其不限制本发明的范围,本发明容许其它同等有效的实施例。
图1所示为光刻系统的简化侧视图,其具有与基板隔开的模板及模具。
图2所示为图1所示的基板的简化图,其上具有图案化层。
图3A至3D所示为在基板上压印大面积无接缝图案的示例性方法。
图4所示为根据本发明一实施例的用于形成大面积无接缝图案的图案化的场。
图5所示为从图4的图案化的场形成的一大面积无接缝图案。
图6A至6D所示为根据本发明的一实施例的用于形成主模板的示例性方法。
图7所示为用于压印大面积无接缝图案的一示例性暗场掩模。
图8所示为用于大面积图案化的相邻的场邻接的示例。
图9所示为用于大面积图案化的相邻的场邻接的另一示例。
图10所示为用于大面积图案化的相邻的场邻接的又另一示例。
图11A至11D所示为根据本发明的一实施例的用于形成主模板的示例性方法及所产生的打印图案。
图12A至12B所示为用于大面积图案化的相邻的场邻接的另一示例。
图13A至13E所示为根据本发明的一实施例的用于形成主模板的另一示例性方法。
图14A至14E所示为根据本发明的一实施例的用于形成主模板的又另一示例性方法。
具体实施方式
参照图示、且特别参照图1,图中所示为用来在基板12上形成凹凸图案的光刻系统10。基板12可耦合至基板卡盘14。如图所示,基板卡盘14为真空卡盘。但是,基板卡盘14可为任何卡盘,包括但不限于真空、销针型、沟槽型、静电型、电磁型、和/或类似物。在美国专利6,873,087中描述了示例性卡盘,其合并于本文以供参考。
基板12及基板卡盘14可被平台16进一步支撑。平台16可提供沿着x、y及z轴线的平移和/或旋转运动。平台16、基板12和基板卡盘14也可被定位于一基座(未示出)上。
模板18与基板12隔开。模板18可包括具有第一侧和第二侧的体部,其中一侧具有从其延伸朝向基板12的平台20。平台20上具有一图案化表面22。并且,平台20可称为模具20。替代性地,模板18可形成为不具有平台20。
模板18和/或模具20可从包括但不限于例如下列材料形成:熔融硅土,石英,硅,有机聚合物,硅氧烷聚合物,硼硅酸盐玻璃,氟碳聚合物,金属,硬化蓝宝石,和/或类似物。如图所示,图案化表面22包含由多个隔开的凹部24和/或凸部26所界定的特征,但本发明的实施例不限于这些结构(例如平面性表面)。图案化表面22可定义用以构成基板12上将形成的图案的基础的任何原始图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造