[发明专利]由去污装置和至少一个预型件构成的组件、制造无菌容器的设备和方法在审
申请号: | 201280063183.0 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN104010667A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | C·贝勒克;G·弗约莱 | 申请(专利权)人: | 西德尔合作公司 |
主分类号: | A61L2/10 | 分类号: | A61L2/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 法国奥克*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 去污 装置 至少 一个 预型件 构成 组件 制造 无菌 容器 设备 方法 | ||
1.组件(1),所述组件包括用以制造容器的至少一个热塑性材料预型件(12)和对预型件(12)内部进行去污的去污装置(10),其中,所述预型件(12)包括颈部(44),所述颈部通过由底部(42)封闭的主体(40)轴向地延伸,所述颈部界定进出所述预型件(12)内部的开口(18),
其特征在于,所述去污装置(10)包括至少一个支承机构(20),所述支承机构承载辐照去污部件(22),所述辐照去污部件由半导体类型的器件构成,所述器件用于通过开口(18)被引入到所述预型件(12)内部,以在待去污的预型件(12)的内部选择性地发射至少一种紫外线辐射。
2.根据权利要求1所述的组件,其特征在于,形成所述辐照去污部件(22)的所述器件中的至少一个器件发射“C”类型的紫外线辐射,所述“C”类型的紫外线辐射具有波长在100nm到280nm之间的至少一个主发射谱线。
3.根据权利要求1或2所述的组件,其特征在于,形成所述辐照去污部件(22)的所述器件中的至少一个器件发射“A”类型的紫外线辐射,所述“A”类型的紫外线辐射具有波长在315nm到400nm之间的至少一个主发射谱线。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的组件,其特征在于,所述辐照去污部件(22)由形成至少第一器件组和第二器件组的器件构成;并且,至少所述第一器件组由至少一个器件构成,所述第一器件组的所述至少一个器件发射的紫外线辐射具有波长在100nm到400nm之间的至少一个主发射谱线。
5.根据权利要求4所述的组件,其特征在于,所述第二器件组由至少一个器件构成,所述第二器件组的所述至少一个器件发射红外线辐射,所述红外线辐射具有波长在780nm到1mm之间的至少一个主发射谱线。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的组件,其特征在于,所述去污装置(10)包括致动部件(38),所述致动部件被选择性地控制,以引起所述支承机构(20)和所述预型件(12)之间相对移动,以便暂时性地将所述辐照去污部件(22)引入所述预型件(12)内部。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的组件,其特征在于,所述辐照去污部件(22)由这样的器件构成:器件被布置在所述支承机构(20)的用于被接纳在所述预型件(12)内部的段部的整个高度(h)或一部分高度上。
8.根据权利要求1到7中任一项所述的组件,其特征在于,所述辐照去污部件(22)由这样的器件构成:器件被布置在所述支承机构(20)的整个周廓上,以便朝所有方向、以基本360°发射辐射,以对所述预型件(12)内部进行去污。
9.根据权利要求1到8中任一项所述的组件,其特征在于,用于支承器件的所述支承机构(20)被选择性地带动转动,以用至少一种紫外线辐射扫掠所述预型件(12)内部。
10.根据权利要求1到9中任一项所述的组件,其特征在于,所述去污装置(10)包括控制单元(36),所述控制单元选择性地控制器件,以控制所述至少一种紫外线辐射的发射或不发射。
11.根据权利要求1到10中任一项所述的组件,其特征在于,用于支承器件的所述支承机构(20)由用于制造容器的预型件(12)模制单元的拉伸杆构成。
12.根据权利要求1到11中任一项所述的组件,其特征在于,所述去污装置(10)包括用于冷却器件的冷却部件(30),所述冷却部件(30)至少由所述支承机构(20)构成,至少通过传导排出器件在运行时所产生的热量。
13.根据权利要求12所述的组件,其特征在于,所述支承机构(20)包括冷却回路,用以在所述支承机构(20)的内部选择性地建立载热流体的循环。
14.根据前述权利要求中任一项所述的组件,其特征在于,形成所述辐照去污部件(22)的所述器件中的至少一部分器件是发光二极管。
15.根据前述权利要求中任一项所述的组件,其特征在于,形成所述辐照去污部件(22)的所述器件中的至少一部分器件是激光二极管。
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