[发明专利]使用可调整电荷状态电平对存储器单元进行编程的设备和方法

权利要求书

1.一种用于对存储器单元进行编程的方法，所述方法包括：

以错误校正码对所述存储器单元中的数据进行错误校正；

基于所述错误校正码对错误的容限而识别目标错误率；

确定所述存储器单元的观察到的错误率；以及

使用至少部分地基于所述目标错误率与经确定观察到的错误率之间关系的电荷状态的电荷状态电平将数据编程到所述存储器单元，借此所述电荷状态电平至少近似等于产生不大于所述目标错误率的所述经确定观察到的错误率的最小电荷状态电平。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标错误率对应于与所述错误校正码相关联的最大错误校正能力。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

调整所述电荷状态电平以防止所述经确定观察到的错误率超过所述目标错误率。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括：在一系列不同编程循环中，渐进地增加所述电荷状态电平以维持所述经确定观察到的错误率不大于所述目标错误率。

5.一种用于对存储器单元进行编程的方法，所述方法包括：

以错误校正码对所述存储器单元中的数据进行错误校正；

基于所述错误校正码对错误的容限而识别目标错误率；

确定所述存储器单元的观察到的错误率；以及

通过下述步骤使用至少部分地基于所述目标错误率与经确定观察到的错误率之间关系的电荷状态的电荷状态电平将数据编程到所述存储器单元：

调整所述电荷状态电平以使所述经确定观察到的错误率至少近似地匹配于所述目标错误率。

6.根据权利要求5所述的方法，其中调整所述电荷状态电平包含调整所述电荷状态电平以使得所述经确定观察到的错误率不超过所述目标错误率。

7.一种用于对存储器单元进行编程的方法，所述方法包括：

以错误校正码对所述存储器单元中的数据进行错误校正；

基于所述错误校正码对错误的容限而识别目标错误率；

确定所述存储器单元的观察到的错误率；

使用至少部分地基于所述目标错误率与经确定观察到的错误率之间关系的电荷状态的电荷状态电平将数据编程到所述存储器单元；以及

渐进地增加所述电荷状态电平直到所述经确定观察到的错误率低于所述目标错误率。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：

响应于所述电荷状态电平达到最大电荷状态电平且所述经确定观察到的错误率超过所述目标错误率而弃置所述单元。

9.一种用于对存储器单元进行编程的方法，所述方法包括：

以错误校正码对所述存储器单元中的数据进行错误校正；

基于所述错误校正码对错误的容限而识别目标错误率；

确定所述存储器单元的观察到的错误率；

在将所述数据编程到所述单元之前将所述单元擦除到经擦除状态，其中所述单元是在涉及电荷状态电平与所述经擦除状态的电平之间的差的擦除时间擦除；以及

通过下述步骤使用至少部分地基于所述目标错误率与经确定观察到的错误率之间关系的电荷状态的电荷状态电平将数据编程到所述存储器单元：

使用至少部分地基于最小化所述擦除时间的电荷状态电平。

10.一种用于对存储器单元进行编程的方法，所述方法包括：

以错误校正码对所述存储器单元中的数据进行错误校正；

基于所述错误校正码对错误的容限而识别目标错误率；

确定所述存储器单元的观察到的错误率以及所述单元在被擦除之前将使用电荷状态电平存储数据的时间；以及

使用至少部分地基于所述目标错误率与经确定观察到的错误率之间关系的电荷状态的电荷状态电平将数据编程到所述存储器单元，所述电荷状态电平至少部分地基于经确定的时间。