[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

第一导电型覆盖层；

光散射图案，位于所述第一导电型覆盖层内，且折射率与所述第一导电型覆盖层的折射率不同；

活性层，位于所述第一导电型覆盖层下部；

第二导电型覆盖层，位于所述活性层下部；

第一电极，电连接于所述第一导电型覆盖层上；

第二电极，电连接于所述第二导电型覆盖层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，将所述光散射图案与所述第一电极重叠而设置。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，将所述光散射图案限定在与所述第一电极重叠的区域及其相邻区域而设置。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第一电极具有粘接垫和延伸部，而所述光散射图案位于粘接垫下部却并不位于所述延伸部下部。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其中，由所述光散射图案所定义的开口部的宽度在与所述第一电极重叠的区域内比并不与所述第一电极重叠的区域更小。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述光散射图案为具有多个凸点、多个线条或多个贯通孔的膜。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述光散射图案为具有比所述第一导电型覆盖层的折射率更小的折射率的绝缘膜。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述光散射图案是由折射率互不相同的膜交替层叠而成。

9.一种发光二极管制造方法，包括如下步骤：

形成下部第一导电型覆盖层；

在所述下部第一导电型覆盖层上形成折射率不同于所述下部第一导电型覆盖层的折射率的光散射图案；

在所述光散射图案上形成上部第一导电型覆盖层；

在所述上部第一导电型覆盖层上形成活性层；

在所述活性层上形成第二导电型覆盖层；

形成电连接于所述下部第一导电型覆盖层的电极。

10.如权利要求9所述的发光二极管制造方法，其中，将所述光散射图案形成为与所述电极重叠而设置。

11.如权利要求10所述的发光二极管制造方法，其中，将所述光散射图案形成为限定在与所述第一电极重叠的区域及其相邻区域而设置。

12.如权利要求11所述的发光二极管制造方法，其中，所述第一电极具有粘接垫和延伸部，而所述光散射图案位于与粘接垫重叠的区域却并不位于与所述延伸部重叠的区域。

13.如权利要求9所述的发光二极管制造方法，其中，由所述光散射图案所定义的开口部的宽度在与所述第一电极重叠的区域内比并不与所述第一电极重叠的区域更窄。

14.如权利要求9所述的发光二极管制造方法，其中，所述光散射图案形成为具有多个凸点、多个线条或多个贯通孔的膜。

15.如权利要求9所述的发光二极管制造方法，其中，所述光散射图案为折射率比所述第一导电型覆盖层的折射率更小的绝缘膜。

16.如权利要求9所述的发光二极管制造方法，其中，所述光散射图案是由折射率互不相同的膜交替层叠而成。

17.如权利要求9所述的发光二极管制造方法，其中，还包括如下步骤：

将所述下部第一导电型覆盖层形成于生长基板上；

在形成所述电极之前除去所述生长基板，从而使所述下部第一导电型覆盖层暴露。

18.如权利要求17所述的发光二极管制造方法，其中，所述生长基板为GaN基板，而所述第一导电型覆盖层为GaN层。