[发明专利]用于制备石墨烯纳米带的低聚亚苯基单体和聚合物前体有效

专利信息
申请号: 201280064361.1 申请日: 2012-10-24
公开(公告)号: CN104039743A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: S·伊娃诺维茨;M·G·施瓦布;冯新良;K·米伦 申请(专利权)人: 巴斯夫欧洲公司;马克思—普朗克科学促进协会公司
主分类号: C07C15/14 分类号: C07C15/14;C07C15/12;C07C15/20;C07C15/28;C07C15/30;C07C25/18;C07C309/66;C07C245/20;C01B31/04;C08G61/10
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 肖威;刘金辉
地址: 德国路*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 制备 石墨 纳米 低聚亚 苯基 单体 聚合物
【权利要求书】:

1.通式A、B、C、D、E和F的低聚亚苯基单体:

其中Ar选自:

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其中Ar为:

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其中在各式A、B、C、D、E和F中:

X,Y为卤素、三氟甲磺酸酯基或重氮基;

R1,R2,R3各自独立地为H、卤素、-OH、-NH2、-CN、-NO2;直链或支化的饱和或不饱和C1-C40烃基,其可被卤素(F、Cl、Br、I)、-OH、-NH2、-CN和/或-NO2取代1-5次,且其中一个或多个CH2基团可被-O-、-S-、-C(O)O-、-O-C(O)-、-C(O)-、-NH-或-NR-代替,其中R为任选取代的C1-C40烃基;或任选取代的芳基、烷芳基或烷氧基芳基。

2.根据权利要求1的低聚亚苯基单体,其具有通式I、II、III和IV且用于合成石墨烯纳米带制备用聚合物前体,

其中:

R1,R2,R3各自独立地为H、卤素、-OH、-NH2、-CN、-NO2;直链或支化的饱和或不饱和C1-C40烃基,其可被卤素(F、Cl、Br、I)、-OH、-NH2、-CN和/或-NO2取代1-5次,且其中一个或多个CH2基团可被-O-、-S-、-C(O)O-、-O-C(O)-、-C(O)-、-NH-或-NR-代替,其中R为任选取代的C1-C40烃基;或任选取代的芳基、烷芳基或烷氧基芳基;

X=卤素;

其中:

R1,R2,R3各自独立地为H、卤素、-OH、-NH2、-CN、-NO2;直链或支化的饱和或不饱和C1-C40烃基,其可被卤素(F、Cl、Br、I)、-OH、-NH2、-CN和/或-NO2取代1-5次,且其中一个或多个CH2基团可被-O-、-S-、-C(O)O-、-O-C(O)-、-C(O)-、-NH-或-NR-代替,其中R为任选取代的C1-C40烃基;或任选取代的芳基、烷芳基或烷氧基芳基;

X=卤素且Y=H或者X=H且Y=卤素;

条件是如果X=H且Y=卤素,则R3=H。

3.根据权利要求1或2的低聚亚苯基单体,其中X和Y为Cl或Br。

4.一种可由权利要求1-3中任一项所定义的单体获得的石墨烯纳米带制备用的聚合物前体。

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