[发明专利]存储器单元、集成装置及形成存储器单元的方法

权利要求书

1.一种集成装置，其包括：

硫族化物材料；

顶部电极，其在所述硫族化物材料上方；及

夹层，其在所述顶部电极与所述硫族化物材料之间，相对于在不存在所述夹层的情况下将跨越所述装置的顶部电极/硫族化物材料界面发生的热电阻，所述夹层降低所述装置中的所述热电阻。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述夹层包括组合有碲及锑中的一者或两者的钛。

3.一种集成装置，其包括：

硫族化物材料；

导电材料，其在所述硫族化物材料上方；及

散热片，其在所述导电材料与所述硫族化物材料之间，所述散热片直接抵靠所述导电材料及所述硫族化物材料；所述散热片包括包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

所述硫族化物材料包括锑、碲及锗；

所述导电材料包括钛；且

所述散热片包括组合有碲及锑中的一者或两者的钛。

5.根据权利要求3所述的装置，其中：

所述硫族化物材料包括锑、碲及锗；

所述导电材料包括钛、铝及氮；且

所述散热片包括组合有钛及铝中的一者或两者的碲及锑中的一者或两者。

6.根据权利要求3所述的装置，其中：

所述硫族化物材料包括锑、碲及锗；

所述导电材料包括钽；且

所述散热片包括组合有碲及锑中的一者或两者的钽。

7.根据权利要求3所述的装置，其中：

所述硫族化物材料包括锑、碲及锗；

所述导电材料包括钨；且

所述散热片包括组合有碲及锑中的一者或两者的钨。

8.根据权利要求3所述的装置，其中所述散热片具有小于或等于约5纳米的厚度。

9.根据权利要求3所述的装置，其中所述散热片具有在从约1纳米到约5纳米的范围内的厚度。

10.一种存储器单元，其包括：

加热器材料；

硫族化物材料，其在所述加热器材料上方；

导电材料，其在所述硫族化物材料上方；及

散热片，其在所述导电材料与所述硫族化物材料之间，所述散热片直接抵靠所述导电材料及所述硫族化物材料；所述散热片包括包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。

11.根据权利要求10所述的存储器单元，其中所述硫族化物材料包括锑、碲及锗。

12.根据权利要求11所述的存储器单元，其中所述导电材料包括钛，且其中所述散热片包括组合有碲及锑中的一者或两者的钛。

13.根据权利要求11所述的存储器单元，其中所述导电材料包括钽，且其中所述散热片包括组合有碲及锑中的一者或两者的钽。

14.根据权利要求11所述的存储器单元，其中所述导电材料包括钨，且其中所述散热片包括组合有碲及锑中的一者或两者的钨。

15.根据权利要求11所述的存储器单元，其中所述导电材料包括钛、铝及氮；且其中所述散热片包括组合有钛及铝中的一者或两者的碲。

16.根据权利要求11所述的存储器单元，其中所述导电材料包括钛、铝及氮；且其中所述散热片包括组合有钛及铝中的一者或两者的锑。

17.一种形成存储器单元的方法，其包括：

在加热器材料上方形成硫族化物材料；

在所述硫族化物材料上方形成导电材料；及

在所述导电材料与所述硫族化物材料之间形成散热片，所述散热片直接抵靠所述导电材料及所述硫族化物材料；所述散热片包括包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述形成所述散热片包括：

将前驱物材料直接沉积到所述硫族化物材料上；及

对所述前驱物材料及所述硫族化物材料进行热处理以导致所述前驱物材料与所述硫族化物材料之间的反应且借此形成所述散热片。