[发明专利]常断型异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201280064746.8 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104025271A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | J·K·特怀南 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 常断型异质结 场效应 晶体管 | ||
1.一种常断型HFET，其特征在于，包括：
依次叠层的厚度为t1的未掺杂AlwGa1-wN层、厚度为t2的未掺杂AlxGa1-xN层和厚度为tch的未掺杂GaN沟道层；
与所述沟道层电连接并且相互隔开地形成的源极电极和漏极电极；
在所述源极电极与所述漏极电极之间在所述沟道层上形成的厚度为t3的未掺杂AlyGa1-yN层；
在所述源极电极与所述漏极电极之间在所述AlyGa1-yN层的部分区域上呈台面型形成的厚度为t4的AlzGa1-zN层；和
在所述AlzGa1-zN层上形成的肖特基势垒型栅极电极，
满足y＞x＞w＞z、t1＞t4＞t3和2wtch/(x-w)＞t2＞1nm的条件。
2.如权利要求1所述的常断型HFET，其特征在于：
满足w-z＞0.03的条件。
3.如权利要求1或2所述的常断型HFET，其特征在于：
满足t4/t3＞4的条件。
4.如权利要求1～3中任一项所述的常断型HFET，其特征在于：
所述AlzGa1-zN层未掺杂。
5.如权利要求1～4中任一项所述的常断型HFET，其特征在于：
栅极电极包括Ni/Au叠层、WN层、TiN层、W层和Ti层中的任一个。
6.如权利要求1～5中任一项所述的常断型HFET，其特征在于：
所述AlwGa1-wN层、所述AlxGa1-xN层、所述GaN沟道层、所述AlyGa1-yN层和所述AlzGa1-zN层均具有Ga原子面出现在作为(0001)面的上侧面上的Ga极性。
7.一种常断型HFET，其特征在于，包括：
依次叠层的厚度为t1的未掺杂AlwGa1-wN层和厚度为tch的未掺杂GaN沟道层；
与所述沟道层电连接并且相互隔开地形成的源极电极和漏极电极；
在所述源极电极与所述漏极电极之间在所述沟道层上形成的厚度为t3的未掺杂AlyGa1-yN层；
在所述源极电极与所述漏极电极之间在所述AlyGa1-yN层的部分区域上呈台面型形成的厚度为t4的AlzGa1-zN层；和
在所述AlzGa1-zN层上形成的肖特基势垒型栅极电极，
满足y＞w＞z和t1＞t4＞t3的条件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
