[发明专利]拍摄装置有效

专利信息
申请号: 201280065092.0 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN104025568B 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 驹场贵文 申请(专利权)人: 株式会社尼康
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 陈伟,李文屿
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 拍摄 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及拍摄装置。

背景技术

近年来,大多数电子照相机所搭载的CMOS传感器,在受光面上具有以矩阵状配置的多个像素,在各像素中积蓄有与入射光对应的电荷。并且,由放大晶体管转换为与所积蓄的电荷量对应的电信号,经由选择晶体管被读出到垂直信号线。从各像素中读出到垂直信号线的信号,经由针对每一列配置的PGA电路(Programmable Gain Amplifier:可变增益放大器)或ADC电路(AD转换电路)等,读出到CMOS传感器的外部(例如参照专利文献1)。

专利文献1:日本特开2010-239604号公报

发明内容

但是,在向针对每一列配置的电路供给偏压电源等的电源电路构成于固体成像元件内部的情况下,从该内部电源电路向针对每一列配置的电路进行供给的配线,不得不在列向上绕过很长距离。另一方面,由于固体成像元件的面积有限,无法将配线的宽度或厚度形成得充分大,所以产生配线电阻增加的问题。特别是全画幅(full size)的CMOS传感器,由于列向的配线长,所以配线电阻所导致的电压降变大。

鉴于上述课题,本发明的目的在于,提供一种拍摄装置,其能够使从形成于固体成像元件内部的电源电路向针对每一列配置的电路进行供给的配线的配线电阻减小。

本发明所涉及的拍摄装置的特征在于,具有:拍摄元件,其具有:像素部,其生成与光对应的信号;信号处理部,其对从所述像素部读出的所述信号进行信号处理;电源部,其经由第1配线与所述信号处理部连接,向所述信号处理部供给电源,以及收纳容器,其收容所述拍摄元件,并且具有与所述第1配线连接而构成并联电路的第2配线。

另外,所述信号处理部的特征在于,具有放大部,其对从所述像素部读出的所述信号进行放大并输出。

另外,所述信号处理部的特征在于,具有A/D转换部,其将从所述像素部读出的所述信号转换为数字信号并输出。

特别地,所述第2配线的特征在于,形成在所述收纳容器中。

另外,所述收纳容器的特征在于,由陶瓷构成。

或者,所述收纳容器的特征在于,由树脂构成。

本发明所涉及的电子照相机的特征在于,具有所述拍摄装置。发明的效果

本发明所涉及的拍摄装置,在电源电路构成于芯片元件内部的情况下,能够使从该内部电源向针对每一列配置的电路进行供给的配线的配线电阻减小。

附图说明

图1是表示拍摄装置100的构成例的图。

图2是固体成像元件101及封装件102的剖视图。

图3是表示逐次比较型AD转换器的构成例的图。

图4是表示积分型AD转换器的构成例的图。

图5是积分型AD转换器的时序图。

图6是用于说明固体成像元件101上的配线电阻的图。

图7是表示向积分型AD转换器供给的电源的图。

图8是用于说明积分型AD转换器的问题点的图。

图9是表示配线110和配线167的配置例的图。

具体实施方式

以下,使用附图来具体说明本发明所涉及的拍摄装置的实施方式。图1是表示本发明所涉及的拍摄装置100的结构的框图。

在图1中,拍摄装置100由在半导体基板上形成有电路的固体成像元件101、以及收纳固体成像元件101的封装件102构成。

固体成像元件101具有像素部103、垂直扫描电路104、列电路105、水平输出电路106和内部电源107。

像素部103具有以矩阵状(N行M列)配置的多个像素p。另外,各像素p具有下述部件等,即:光电二极管,其积蓄与入射光量对应的电荷;放大晶体管,其转换为与积蓄的电荷量对应的电信号并进行放大;以及选择晶体管,其基于由垂直扫描电路104施加的定时信号,将放大后的电信号读出到垂直信号线VLINE中。此外,对于像素p的电路及动作省略详细说明。

垂直扫描电路104施加从像素部103的各像素p将被进行了光电转换后的电信号读出到垂直信号线VLINE的定时。此外,对垂直信号线104的动作进行控制的信号或基准时钟等从外部施加,在图1中进行了省略。

列电路105包括针对每条垂直信号线VLINE设置的所有电路,在本实施方式中具有PGA电路151、ADC电路152等电路,也可以设置CDS电路(相关双采样电路)等。此外,PGA电路151及ADC152在后面详细说明。

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