[发明专利]具有冷却系统的喷头及具备该喷头的基板处理装置有效
申请号: | 201280065269.7 | 申请日: | 2012-11-23 |
公开(公告)号: | CN104025258A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 梁日光;宋炳奎;金龙基;金劲勋;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 钟守期;杨勇 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 冷却系统 喷头 具备 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,所述基板处理装置包括:
腔室主体,其上部打开,并提供实现对基板的工艺的内部空间;
腔室盖,其设置在所述腔室主体的上部,并用于关闭所述腔室主体的上部;以及
喷头,其设置在所述腔室盖的下部,并用于向所述内部空间供应反应气体,其中,
所述喷头具备:
凸缘,其与所述腔室盖接触,并具有从上部表面凹陷的、且制冷剂在内部流动的通道;以及
平板,其位于所述凸缘的内侧,并具有在其厚度方向形成的、用于喷射所述反应气体的一个以上的喷射孔。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置进一步包括密封构件,所述密封构件设置在所述腔室盖和所述凸缘之间,并设置在所述通道的内侧。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述喷头进一步具备通道盖体,所述通道盖体与所述凸缘接触,并用于关闭所述通道的上部。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述通道位于所述腔室主体的内侧,并以与所述内部空间对应的方式配置。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述平板部与所述腔室盖的下部表面隔开距离,并且在所述腔室盖和所述平板部之间形成缓冲空间。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述腔室盖进一步包括气体供应端口,所述气体供应端口与所述缓冲空间连通,并用于从外部供应反应气体;
所述基板处理装置进一步包括板块,所述板块固定在所述腔室盖的下部,并设置在所述缓冲空间上,而且具有一个以上的扩散孔。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述通道盖体通过焊接连接在所述凸缘。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述通道具有:循环通道,其沿着所述喷射孔的外周配置;流入通道和流出通道,其分别与所述循环通道的两端连接。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述凸缘呈圆形环状,
所述凸缘的厚度比所述平板的厚度大。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述凸缘呈四角形环状,
所述凸缘的厚度比所述平板的厚度大。
11.一种喷头,其特征在于,所述喷头具备:
凸缘,其具有从上部表面凹陷的、且制冷剂在内部流动的通道;以及
平板,其位于凸缘的内侧,并具有在其厚度方向形成的、用于喷射反应气体的一个以上的喷射孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造