[发明专利]通过低温工艺制造的薄膜半导体

权利要求书

1.一种用以形成半导体氮氧化合物的方法，包括：

沉积氮化物层于基板上；以及

暴露所述氮化物层于湿环境以将所述氮化物层转换为半导体氮氧化物层。

2.一种用以制造薄膜晶体管的方法，包括：

形成栅极电极于基板上；

沉积栅极介电层于所述栅极电极与所述基板上；

形成半导体层于所述栅极介电层上，所述形成包括：

沉积氮化物层于所述栅极介电层上；以及

暴露所述氮化物层于湿空气以将所述氮化物层转换为氮氧化物层；以及

形成源极电极及漏极电极于所述半导体层上。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述暴露包括在相对湿度为百分之95的空气中将所述氮化物层暴露于约摄氏95度的温度下的蒸汽或水达约30分钟。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述暴露包括在一环境内将所述氮化物层浸于水中，所述环境具有介于约1与2atm之间的压力及少于摄氏100度的温度。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述暴露包括在将所述氮化物层暴露于蒸汽时，将所述基板加热至约100度到约250度的温度。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氮化物层包括二氮化三锌(Zn3N2)。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氮氧化物层是非柱状(non-columnar)。

8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氮氧化物层于暴露后组成是渐变的(graded)，使得较大数量的氧相对于所述氮氧化物层的一表面存在于所述氮氧化物层中的另一表面。

9.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述湿空气包括水蒸汽。

10.如权利要求1或2所述的方法，还包括在介于约摄氏350度和约摄氏400度之间的温度下且于包括一氧化二氮(N2O)、氮(N2)、氧(O2)或其组合的空气中退火所述氮氧化物层。

11.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氮化物层包括一或数个元素，所述元素选自由锌、锡、铟、镓、镉及其组合所组成的群组。

12.一种用以形成半导体氮氧化合物的方法，包括：

沉积氮氧化物层于基板上；以及

暴露所述氮氧化物层于湿环境，以增加所述氮氧化物层的氧成分。

13.一种用以制造薄膜晶体管的方法，包括：

形成栅极电极于基板上；

沉积栅极介电层于所述栅极电极与所述基板上；

形成半导体层于所述栅极介电层上，所述形成包括：

沉积氮氧化物层于所述栅极介电层上；以及

暴露所述氮氧化物层于湿空气，以增加所述氮氧化物层的氧成分；以及

形成源极电极及漏极电极于所述半导体层上。

14.如权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述暴露包括在相对湿度为百分之95的空气中将所述氮氧化物层暴露于约摄氏95度的温度下的蒸汽或水达约30分钟。

15.如权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述暴露包括在一环境内将所述氮氧化物层浸于水中，所述环境具有介于约1与2atm之间的压力及少于摄氏100度的温度。

16.如权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述暴露包括在将所述氮化物层暴露于蒸汽时，将所述基板加热至约100度到约250度的温度。

17.如权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述氮氧化物层于暴露后组成是渐变的(graded)，使得较大数量的氧相对于所述氮氧化物层的一表面存在于所述氮氧化物层中的另一表面。

18.如权利要求12或13所述的方法，还包括在介于约摄氏350度和约摄氏400度之间的温度下且包括一氧化二氮(N2O)、氮(N2)、氧(O2)或其组合的空气中退火所述氮氧化物层。

19.如权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述氮氧化物层包括一或数个元素，所述元素选自由锌、锡、铟、镓、镉及其组合所组成的群组。