[发明专利]低分子量的基于乙烯和α-烯烃的材料的制备方法

权利要求书

1.低分子量的基于乙烯的材料的制备方法，包括将(1)选自(a)乙烯；(b)非乙烯α-烯烃或(c)其组合的单体和(2)催化量的催化剂一起接触，其中该催化剂包括在接触步骤之前制备的组分(2a)和(2b)的混合物或反应产物，其中组分(2a)是至少一种金属-配体络合物，且其中组分(2b)是至少一种活化助催化剂，组分(2a)的金属-配体络合物是至少一种式(I)的金属-配体络合物：

其中M是钛、锆或铪，各自独立地为+2、+3或+4的形式氧化态；n是0-3的整数，其中当n是0时，X不存在；各X独立地为中性的、单阴离子的或双阴离子的单齿配体，或者两个X共同形成中性的、单阴离子的或双阴离子的双齿配体；X和n以使得该式(I)的金属-配体络合物总体呈中性的方式选择；各Z独立地为O、S、N(C₁-C₄₀)烃基或P(C₁-C₄₀)烃基；L是(C₁-C₄₀)亚烃基或(C₁-C₄₀)杂亚烃基，其中该(C₁-C₄₀)亚烃基具有连接式(I)中的Z原子的包括2个碳原子的连接主链的部分，且该(C₁-C₄₀)杂亚烃基具有连接式(I)中的Z原子的包括2个原子的连接主链的部分，其中该(C₁-C₄₀)杂亚烃基的2个原子的连接基团的各原子独立地为碳原子或杂原子，其中各杂原子独立地为O、S、S(O)、S(O)₂、Si(R^C)₂、Ge(R^C)₂、P(R^P)或N(R^N)，其中各R^C独立地为未取代的(C₁-C₁₈)烃基，或者两个R^C共同形成(C₂-C₁₉)亚烷基，各R^P为未取代的(C₁-C₁₈)烃基；且各R^N为未取代的(C₁-C₁₈)烃基、氢原子或不存在；R^1a、R^2a、R^1b和R^2b中的至少一个独立地为(C₁-C₄₀)烃基、(C₁-C₄₀)杂烃基、N(R^N)₂、NO₂、OR^C、SR^C、Si(R^C)₃、Ge(R^C)₃、CN、CF₃、F₃CO、卤素原子；且R^1a、R^2a、R^1b和R^2b中其他各自独立地为氢、(C₁-C₄₀)烃基、(C₁-C₄₀)杂烃基、N(R^N)₂、NO₂、OR^C、SR^C、Si(R^C)₃、CN、CF₃、F₃CO或卤素原子；R^3a、R^4a、R^3b、R^4b、R^6c、R^7c、R^8c、R^6d、R^7d和R^8d各自独立地为氢原子、(C₁-C₄₀)烃基、(C₁-C₄₀)杂烃基、Si(R^C)₃、Ge(R^C)₃、P(R^N)₂、N(R^N)₂、OR^C、SR^C、NO₂、CN、CF₃、R^CS(O)-、R^CS(O)₂、(R^C)₂C＝N-、R^CC(O)O-、R^COC(O)-、R^CC(O)N(R)-、(R^C)₂N^C(O)-或卤素原子；R^5c和R^5d各自独立地为(C₆-C₄₀)芳基或(C₁-C₄₀)杂芳基；前述芳基、杂芳基、烃基、杂烃基、亚烃基和杂亚烃基各自独立地为未取代的或取代有一个或多个取代基R^S；和各R^S独立地为卤素原子、多氟取代基、全氟取代基、未取代的(C₁-C₁₈)烷基、F₃C-、FCH₂O-、F₂HCO-、F₃CO-、R₃Si-、R₃Ge-、RO-、RS-、RS(O)-、RS(O)₂-、R₂P-、R₂N-、R₂C＝N-、NC-、RC(O)O-、ROC(O)-、R^C(O)N(R)-或R₂N^C(O)-，或者两个R^S共同形成未取代的(C₁-C₁₈)亚烷基，其中各R独立地为未取代的(C₁-C₁₈)烷基；使得该至少一种金属-配体络合物(2a)的总摩尔数与至少一种活化助催化剂(2b)的总摩尔数之比为1:10,000-100:1，接触条件使得生成具有低于2500道尔顿(Da)的主链重均分子量(Mw)的聚乙烯、聚-α-烯烃或聚(乙烯-共聚-α-烯烃)。