[发明专利]荧光体及其制备方法、发光装置及图像显示装置有效

专利信息
申请号: 201280065632.5 申请日: 2012-11-07
公开(公告)号: CN104080884A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 广崎尚登;武田隆史;舟桥司朗 申请(专利权)人: 独立行政法人物质·材料研究机构
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64;C09K11/08;H01J1/63;H01L33/50
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;谢栒
地址: 日本茨城县*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 荧光 及其 制备 方法 发光 装置 图像 显示装置
【权利要求书】:

1.一种荧光体,至少包含含有A元素、D元素、E元素和X元素(其中,A为选自Mg、Ca、Sr、Ba的一种或两种以上的元素;D为选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf的一种或两种以上的元素;E为选自B、Al、Ga、In、Sc、Y、La的一种或两种以上的元素;X为选自O、N、F的一种或两种以上的元素)的,由Sr1Si3Al2O4N4所示的结晶构成的无机结晶、或具有与Sr1Si3Al2O4N4所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶中固溶有M元素(其中,M为选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Yb的一种或两种以上的元素)的无机化合物。

2.根据权利要求1所述的荧光体,其中,

具有与所述Sr1Si3Al2O4N4所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶为A1Si3Al2O4N4或A1(D,E)5X8所示的结晶。

3.根据权利要求2所述的荧光体,其中,

所述A元素包含Sr和Ba的任一种或两者,所述D元素包含Si,所述E元素包含Al,所述X元素包含N,根据需要所述X元素包含O。

4.根据权利要求1所述的荧光体,其中,

所述M元素包含Eu。

5.根据权利要求1所述的荧光体,其中,

所述无机结晶为单斜晶系的结晶。

6.根据权利要求1所述的荧光体,其中,

所述无机结晶为单斜晶系的结晶,并且具有空间群P21的对称性,

晶格常数a、b、c为:

a=0.72516±0.05nm

b=0.93431±0.05nm

c=1.08761±0.05nm

(这里,上述的「±0.05」为公差)

的范围的值。

7.根据权利要求1所述的荧光体,其中,

具有与所述Sr1Si3Al2O4N4所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶为Ba1Si3Al2O4N4、或者(Sr,Ba)1Si3Al2O4N4

8.根据权利要求1所述的荧光体,其中,

具有与所述Sr1Si3Al2O4N4所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶由

(Sr,Ba)1Si3-xAl2+xO4+xN4-x

(其中,-1≦x≦2)

的组成式表示。

9.根据权利要求1所述的荧光体,其中,

所述无机化合物在

A1Si3-xAl2+xO4+xN4-x

(其中,-1≦x≦2)

所示的结晶中固溶有Eu。

10.根据权利要求9所述的荧光体,其中,

所述A元素为Sr及Ba的组合。

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