[发明专利]提供具有可调谐发射率的表面的装置和方法

权利要求书

1.一种提供具有可调谐发射率的表面的装置，其包括：

阻抗层(104)，其包括附接到电反射接地平面(106)的介电材料层(108)；以及

布置在所述阻抗层(104)内的多个谐振器，所述多个谐振器中的第一个包括多个导电元件；

非晶氧化物半导体材料，所述非晶氧化物半导体材料与所述多个导电元件接触，用于电耦合所述多个导电元件；以及

导电材料，其用于在电压基于所述装置上的辐射的入射角被施加到所述导电材料时调节所述非晶氧化物半导体材料的电阻率，使得所述装置的发射率基于所述辐射的入射角而改变，

所述多个谐振器被定位在距所述电反射接地平面为所关注波长的四分之一的距离处。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述谐振器(110)布置为基本上平行于所述电反射接地平面(106)。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的装置，还包括与所述电反射接地平面(106)相对地附接到所述阻抗层(104)的抗反射涂层。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述谐振器(110)中的至少一个包括通过电阻材料(114)电耦合的多个导电元件，并且其中所述电阻材料包含非晶氧化物半导体。

5.根据权利要求3所述的装置，其中所述抗反射涂层的厚度基本上等于所述所关注波长的四分之一。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述抗反射涂层的厚度基本上等于从所述谐振器到所述电反射接地平面的距离。

7.一种提供具有可调谐发射率的表面的方法，其包括：

调谐一个或多个谐振器的特性，其中所述一个或多个谐振器中的第一个包括多个导电元件，将所述多个导电元件与非晶氧化物半导体材料电耦合，并且在电压基于辐射的入射角被施加到所述导电材料时调节所述非晶氧化物半导体材料的电阻率，使得基于所述辐射的入射角而改变具有可调谐的电阻率的装置的发射率，以及改变由材料引起的相消干涉的量，所述一个或多个谐振器被定位在距电反射接地平面为所关注波长的四分之一的距离处。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括限制红外线波长中的材料的辐射的发射。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中所述相消干涉包括发生在从所述一个或多个谐振器反射的辐射和从接地平面反射的辐射之间的相消干涉。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括距离接地平面一定距离处定位所述一个或多个谐振器，以使从所述一个或多个谐振器反射的第一辐射与从所述接地平面反射的第二辐射基于所述特性经历相消干涉。

11.根据权利要求7所述的方法，其中调谐所述特性包括将电信号施加至所述材料的电阻层，以改变邻近所述一个或多个谐振器的所述电阻层的阻抗。

12.根据权利要求7所述的方法，其中调谐所述一个或多个谐振器的特性包括调谐以下中的至少一个：一个或多个谐振器的几何结构、两个或多个谐振器的布置、所述一个或多个谐振器的静态阻抗、或在至少一个所述谐振器的被物理地分开的元件之间的导电槽。