[发明专利]显示装置及用于形成光转向特征和显示元件的双侧工艺无效

专利信息
申请号: 201280065788.3 申请日: 2012-11-15
公开(公告)号: CN104024915A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 笹川照夫 申请(专利权)人: 高通MEMS科技公司
主分类号: G02B26/00 分类号: G02B26/00;G02B6/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 用于 形成 转向 特征 显示 元件 工艺
【权利要求书】:

1.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:

提供衬底,所述衬底具有第一侧和与所述第一侧对置的第二侧;

使用第一处理技术处理所述第一侧,其中处理所述第一侧包含:

在所述衬底的所述第一侧上形成多个光转向特征,以及

在所述光转向特征之上形成第一保护层;以及

随后使用第二处理技术处理所述第二侧,其中处理所述第二侧包含:

在所述衬底的所述第二侧上形成显示元件阵列。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一处理技术使用实质上与所述第二处理技术相同的成套工具。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一保护层为防刮层。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一保护层抵抗蚀刻化学以用于形成所述显示元件阵列。

5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

通过化学机械抛光所述第一保护层而使所述第一保护层平坦化。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一保护层包含二氧化硅SiO2

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一保护层是由自平坦化材料形成。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所述自平坦化材料为旋涂玻璃SOG材料。

9.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在所述第一保护层之上形成第二保护层。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述第二保护层比所述第一保护层硬。

11.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述显示元件阵列包含通过执行沉积及图案化而形成多个干涉调制器。

12.一种显示装置,其包括:

衬底,其具有第一侧和与所述第一侧对置的第二侧;

多个光转向特征,其通过所述第一侧上的凹痕来界定;

实质上平坦第一保护层,其在所述光转向特征之上且实质上延伸到所述凹痕中;以及

显示元件阵列,其形成于所述第二侧上。

13.根据权利要求12所述的装置,其中所述显示元件阵列是以直接与所述衬底接触的方式形成。

14.根据权利要求12所述的装置,其中所述衬底构成光波导。

15.根据权利要求14所述的装置,其中所述光波导包含在所述衬底的所述第一侧上的光转向膜,其中所述凹痕形成于所述光转向膜中。

16.根据权利要求12所述的装置,其中所述第一保护层包含光学包层。

17.根据权利要求12所述的装置,其中所述第一保护层包含钝化层。

18.根据权利要求17所述的装置,其中所述光转向特征包含在所述凹痕中的每一者中及在所述第一保护层下的反射层,其中所述钝化层防止所述反射层的腐蚀。

19.根据权利要求18所述的装置,其中所述反射层为黑色掩模的部分,所述黑色掩模包含:

所述反射层;

部分反射层;以及

间隔层,其将所述反射层与所述部分反射层分离。

20.根据权利要求12所述的装置,其中所述第一保护层包含二氧化硅SiO2

21.根据权利要求12所述的显示装置,其中所述第一保护层是由自平坦化材料形成。

22.根据权利要求21所述的装置,其中所述自平坦化材料为旋涂玻璃SOG。

23.根据权利要求21所述的显示装置,其进一步包括在所述第一保护层之上的第二保护层,其中所述第二保护层比所述第一保护层硬。

24.根据权利要求23所述的装置,其中所述第二保护层包含二氧化硅SiO2、氮氧化硅SiON和氮化硅SiNx中的至少一者。

25.根据权利要求12所述的装置,其中所述显示元件阵列包含反射显示元件。

26.根据权利要求25所述的装置,其中所述反射显示元件为干涉调制器IMOD。

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