[发明专利]薄膜太阳能电池中的中间反射结构

权利要求书

1.一种多结薄膜太阳能电池(70)，包括电串联的至少两个太阳能电池(61；43)的堆叠布置，每个太阳能电池(61；43)均包括含有夹在n掺杂半导体化合物层(64，56，66，67；46)与p掺杂半导体化合物层(62；44)之间的本征半导体化合物层(63；45)的p-i-n结，其中，所述堆叠的太阳能电池(61；43)中之一的n层(64，56，66，67)具有包含沿入射光的预期方向的非晶氢化硅n层(64)、第一微晶氢化硅n层(65)、中间反射层(66)和第二微晶氢化硅n层(67)的序列的结构，其中，所述中间反射层包括多个层序列，每个层序列沿入射光的预期方向均由微晶的基本为硅氧化物的层和微晶硅n层组成。

2.根据权利要求1所述的多结薄膜太阳能电池(70)，其中，每个层序列沿入射光的预期方向均由微晶的基本为硅氧化物的层和微晶硅n层组成，每个微晶的基本为硅氧化物的层的厚度均为8nm至18nm、特别地为8nm至16nm、更特别地为12nm至16nm、更特别地为9nm至11nm，并且每个微晶硅n层基本为2nm厚，所述微晶的硅氧化物层和所述微晶硅n层沉积在所述第一微晶硅n层(65)上。

3.根据权利要求2所述的多结薄膜太阳能电池(70)，其中，所述多个层序列的数量为2至6或2至5。

4.一种多结薄膜太阳能电池(70)，包括电串联的至少两个太阳能电池(61；43)的堆叠布置，每个太阳能电池(61；43)均包括含有夹在n掺杂半导体化合物层(64，56，66，67；46)与p掺杂半导体化合物层(62；44)之间的本征半导体化合物层(63；45)的p-i-n结，其中，所述堆叠的太阳能电池(61；43)中之一的所述n层(64，56，66，67)具有沿入射光的预期方向包括非晶氢化硅n层(64)、第一微晶氢化硅n层(65)、中间反射层(66)和第二微晶氢化硅n层(67)的序列的结构，其中，所述中间反射层包括单个微晶的基本为硅氧化物的层。

5.根据权利要求4所述的多结薄膜太阳能电池(70)，其中，所述单个微晶的基本为硅氧化物的层的厚度为至少15nm至50nm、特别地20nm至40nm，所述单个微晶的基本为硅氧化物的层沉积在所述第一微晶硅n层(65)上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的多结薄膜太阳能电池(70)，其中，其特征在于如下中至少之一：

-所述非晶硅n层(64)的厚度为3nm至8nm，特别地为4nm至6nm并且沉积到所述电池的更靠近所述入射光的所述本征硅层(63)上，所述电池(61)的更靠近所述入射光的所述本征硅层(63)为非晶的；

-所述第一微晶硅n层(65)的厚度为5nm至50nm，特别地为5nm至15nm，特别地为6nm至12nm，更特别地为6nm至9nm，并且沉积到所述非晶硅n层(64)上；

-所述第二微晶硅n层(67)的厚度为4nm至8nm，特别地为4nm至6nm，特别地基本为5nm，并且沿所述入射光的方向位于所述中间反射层(66)之后。

7.根据前述权利要求中任一项所述的多结薄膜太阳能电池(70)，其中，所述多结薄膜太阳能电池(70)还包括由作为透明导电氧化物层电极的由LPCVD沉积ZnO制成的前接触体(42)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的多结薄膜太阳能电池(70)，其中，位于最靠近所述入射光的所述本征半导体化合物层(63)为非晶的。