[发明专利]耐弯曲损耗的多模光纤

权利要求书

1.一种渐变折射率多模光纤，包括：

(a)包括二氧化硅的纤芯，所述二氧化硅掺杂了氧化锗和至少一种共掺杂剂c-d，所述共掺杂剂包括P₂O₅或B₂O₃中的一者，所述纤芯从r＝0处的中心线延伸至最外侧纤芯半径r₁并具有由参数α₁和α₂定义的双α，其中α₁与所述纤芯中的GeO₂浓度相关联并且α₂与所述纤芯中的共掺杂剂浓度相关联；

(b)围住纤芯并与纤芯接触的内包层；

(c)围住内包层并与所述内包层接触的外包层，所述内包层的至少一个区域具有比外包层更低的折射率并与所述纤芯偏离；以及

所述氧化锗以氧化锗掺杂剂浓度分布C_Ge(r)被设置在纤芯中，并且所述纤芯具有在中心线处大于或等于0的中心氧化锗浓度C_Ge1以及在r₁处的最外侧氧化锗浓度C_Ge2，其中C_Ge2大于或等于0；以及

其中，共掺杂剂以一共掺杂剂浓度分布C_c-d(r)被设置在纤芯中，并且纤芯具有在中心线处大于或等于0的中心共掺杂剂浓度C_c-d1以及在r₁处的最外侧共掺杂剂浓度C_c-d2，其中C_c-d2大于或等于0；以及

C_Ge(r)＝C_Ge1-(C_Ge1-C_Ge2)(1-x₁)r^α1-(C_Ge1-C_Ge2)x₁r^α2；

C_c-d(r)＝C_c-d1-(C_c-d1-C_c-d2)x₂r^α1-(C_c-d1-C_c-d2)(1-x₂)r^α2；

1.8α₁2.4,1.8α₂3.1；并且-10x₁10并且-10x₂10，其中x₁和x₂分别是对于氧化锗和共掺杂剂c-d的参数，它们是描述掺杂剂浓度径向分布上的双掺杂剂的作用的加权因数，

其中所述纤芯包括200-2000ppm重量的Cl以及低于1.2重量％的其它折射率修正掺杂剂。

2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，与所述纤芯偏离并比外包层具有更低的折射率的所述内包层的区域包括随机孔隙或由掺杂了下列的二氧化硅构成：硼、或氟、或氟和氧化锗的共掺杂。

3.如权利要求1或2所述的光纤，其特征在于，氧化锗在r＝0处的浓度从1摩尔％至11.5摩尔％。

4.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤的带宽BW满足下列条件中的至少一个：

(i)在850nm处BW1500MHz.Km；

(ii)在980nm处BW1500MHz.Km；

(iii)在1300nm处BW500MHz.Km。

5.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤的带宽BW满足在850nm处BW750MHz.Km。

6.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，在850nm波长处所述光纤具有小于1.5dB/匝的受限制的发射弯曲损耗。

7.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，在850nm波长处所述光纤具有小于0.25dB/匝的受限制的发射弯曲损耗。