[发明专利]用于制造衬底以及半导体结构的方法

权利要求书

1.一种用于制造衬底的方法，包括下述步骤：

提供具有至少一个自由表面(7)和至少一个侧壁的供体衬底(1)，

执行在所述供体衬底(1)内的预定深度(d)的离子注入以在所述供体衬底(1)内在预定深度形成预定分开区域(2)，

将所述供体衬底至少部分地放置在模具的凹陷或孔内，所述模具包括在所述凹陷或孔内的至少一个侧壁，其几何形状匹配所述供体衬底的至少一个侧壁的几何形状；以及

提供粘合剂层(4)，所述粘合剂层覆盖所述供体衬底(1)的整个至少一个自由表面(7)，而所述模具的在凹陷或孔内的至少一个侧壁至少部分地与所述供体衬底的至少一个侧壁重叠，所述模具的至少一个侧壁将粘合剂层限制到邻近所述供体衬底的至少一个自由表面的区域。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括下述步骤：提供具有至少一个自由表面(8)的操作衬底(5)，并且将所述供体衬底(1)附着到所述操作衬底(5)使得所述粘合剂层(4)被设置于所述供体衬底(1)的至少一个自由表面(7)与所述操作衬底(5)的至少一个自由表面(8)之间。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于粘合剂是陶瓷基、石墨基和金属基材料中的至少一种。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述粘合剂基于氧化铝、氮化铝、氧化镁、二氧化硅、碳化硅、氧化锆、硅酸锆、石墨、铜和银中的至少一种。

5.如权利要求2所述的方法，其中在将所述供体衬底附着到所述操作衬底以使得所述粘合剂层被设置于所述供体衬底的至少一个自由表面与所述操作衬底的至少一个自由表面之间之前，所述粘合剂层被施加到所述供体衬底(1)的整个至少一个自由表面(7)和所述操作衬底(5)的整个至少一个自由表面(8)中的至少一个。

6.如权利要求1、2或4所述的方法，进一步包括下述步骤：对所述粘合剂层进行退火，退火温度小于在所述预定分开区域(2)的水平的分离所需的温度。

7.如权利要求1、2或4所述的方法，进一步包括下述步骤：在所述预定分开区域(2)的水平分离所述供体衬底(1)的剩余部分(1“)。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括下述步骤：再次使用所述供体衬底(1)的剩余部分(1“)作为新供体衬底。

9.如权利要求1、2或4所述的方法，其特征在于，所述粘合剂层(4)具有至少0.1μm的厚度。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述粘合剂层的厚度在20μm到1mm的范围内。

11.如权利要求1所述的方法，其中，将所述供体衬底至少部分地放置在模具的凹陷或孔内包括，将所述供体衬底至少部分地放置在硅橡胶模具的凹陷或孔内。

12.如权利要求11所述的方法，其中，将所述供体衬底至少部分地放置在硅橡胶模具的凹陷或孔内包括，将所述供体衬底至少部分地放置在硅橡胶模具的凹陷内。

13.一种半导体结构(91、91‘、92、93、93‘)，包括：

半导体层(1、1‘)，以及

包括陶瓷基粘合剂、石墨基粘合剂以及金属基粘合剂中的至少一种的粘合剂层(4)，所述粘合剂层的厚度在20μm到1mm的范围内，所述粘合剂层(4)被设置为覆盖所述半导体层(1，1‘)的一个主侧(7)，

其中，所述粘合剂层提供最终结构的机械稳定性所需的必需的刚度。

14.如权利要求13所述的半导体结构(91、91‘、92、93、93‘)，进一步包括绝缘层(11)，所述绝缘层(11)在所述半导体层(1，1‘)和粘合剂层(4)之间。

15.如权利要求13或14所述的半导体结构(91、91‘、92、93、93‘)，其中所述粘合剂包括氧化铝、氮化铝、氧化镁、二氧化硅、碳化硅、氧化锆、硅酸锆、石墨、铜和银中的至少一种。