[发明专利]电容耦合复合环天线

权利要求书

1.一种复合环天线，包括：

位于第一平面上并且生成磁场的磁环，所述磁环包括下游部分和上游部分，所述下游部分通过电容性馈给所述磁环的所述下游部分的电容间隙而与所述上游部分间隔开，其中，所述电容间隙将第一容抗加至所述天线的总容抗上；以及

位于所述第一平面上的电场辐射器，所述电场辐射器耦合至所述磁环并且被配置成发射与所述磁场正交的电场，其中，所述天线的总感抗基本上与所述总容抗相匹配。

2.根据权利要求1所述的天线，还包括耦合至所述磁环的辐射器馈源，其中，所述电场辐射器的位置与所述辐射器馈源邻近，其中，所述电场辐射器通过电容性馈给所述电场辐射器的第二电容间隙而与所述辐射器馈源间隔开，其中，所述第二电容间隙具有加至所述总容抗上的第二容抗。

3.根据权利要求2所述的天线，还包括将所述辐射器馈源耦合至所述磁环的电气迹线。

4.根据权利要求3所述的天线，其中，所述电气迹线在连接点处或反射最小点处将所述辐射器馈源耦合至所述磁环，所述连接点包括与所述磁环的驱动点成约90度或约270度的电角度位置，在所述反射最小点处流经所述磁环的电流反射最小。

5.根据权利要求3所述的天线，其中，所述辐射器馈源直接耦合至所述磁环。

6.根据权利要求1所述的天线，还包括将所述电场辐射器耦合至所述磁环的电气迹线。

7.根据权利要求6所述的天线，其中，所述电气迹线在连接点处或反射最小点处将所述电场辐射器耦合至所述磁环，所述连接点包括与所述磁环的驱动点成约90度或约270度的电角度位置，在所述反射最小点处流经所述磁环的电流反射最小。

8.根据权利要求6所述的天线，其中，所述电气迹线被定位在所述第一平面下方的第二平面上。

9.根据权利要求1所述的天线，其中，所述电场辐射器在连接点处和反射最小点处直接耦合至所述磁环，所述连接点包括与所述磁环的驱动点成约90度或约270度的电角度位置，在所述反射最小点处流经所述磁环的电流反射最小。

10.根据权利要求1所述的天线，其中，所述磁环的第一部分的第一宽度大于或小于所述磁环的第二部分的第二宽度。

11.根据权利要求1所述的天线，其中，沿所述磁环调节所述电容间隙的位置来调谐所述天线的阻抗。

12.一种多频带复合环天线，包括：

位于第一平面上并生成磁场的磁环，其中，所述磁环的第一部分被配置成发射处于第一频带的、与所述磁场正交的第一电场；

辐射器馈源，所述辐射器馈源位于所述第一平面上并且经由第一电气迹线耦合至所述磁环，其中，所述辐射器馈源被配置成在所述第一频带与所述磁环的所述第一部分同相地谐振；以及

位于所述第一平面上的电场辐射器，所述电场辐射器经由定位于所述第一平面下方的第二平面上的第二电气迹线而耦合至所述磁环，所述电场辐射器的位置与所述辐射器馈源邻近并且通过电容间隙而与所述辐射器馈源间隔开，其中，所述电场辐射器被配置成发射处于第二频带的并且与所述磁场正交的第二电场，并且其中，所述天线的总感抗基本上与所述天线的总容抗相匹配。

13.根据权利要求12所述的天线，其中，所述电场辐射器和所述辐射器馈源被定位在所述磁环的内部。

14.根据权利要求12所述的天线，其中，所述电场辐射器和所述辐射器馈源被定位在所述磁环的外部。

15.根据权利要求12所述的天线，其中，所述第一电气迹线在连接点处或反射最小点处耦合至所述磁环，所述连接点包括与所述磁环的驱动点成约90度或约270度的电角度位置，在所述反射最小点处流经所述磁环的电流反射最小。

16.根据权利要求12所述的天线，其中，所述第二电气迹线在连接点处或反射最小点处耦合至所述磁环，所述连接点包括与所述磁环的驱动点成约90度或约270度的电角度位置，在所述反射最小点处流经所述磁环的电流反射最小。

17.根据权利要求12所述的天线，其中，所述磁环的所述第一部分的第一宽度大于或小于所述磁环的第二部分的第二宽度。