[发明专利]铜镍合金纳米导线的合成及其在透明导电膜中的应用

权利要求书

1.一种包含铜镍合金纳米导线(NiCuNW)的网络的导电膜，所述导电膜具有低于约1,000Ω/sq的薄层电阻。

2.权利要求1的导电膜，其中所述薄层电阻低于100Ω/sq。

3.权利要求1的导电膜，其中所述薄层电阻低于30Ω/sq。

4.权利要求1-3任一项的导电膜，其中所述导电膜具有高于约60％的透明度。

5.权利要求1-3任一项的导电膜，其中所述导电膜具有高于约70％的透明度。

6.前述权利要求任一项的导电膜，其中所述铜镍合金纳米导线包含铜镍合金。

7.前述权利要求任一项的导电膜，其中所述导电膜包含至少一种支撑性材料，其中所述支撑性材料选自纤维素材料、胶、聚合物材料和覆盖层材料。

8.前述权利要求任一项的导电膜，其中所述导电膜是柔性的。

9.前述权利要求任一项的导电膜，其中所述铜镍合金纳米导线具有约1微米至约500微米的长度和约10nm至约1微米的直径。

10.前述权利要求任一项的导电膜，其中所述铜镍合金纳米导线具有约1微米至约50微米的长度和约70nm至约120nm的直径。

11.前述权利要求任一项的导电膜，其中所述铜镍合金纳米导线包含具有多晶排列方式的壳。

12.一种生产铜镍合金纳米导线(NiCuNW)的方法，所述方法包括：

将铜纳米导线(CuNW)、至少一种镍盐、至少一种还原剂、至少一种表面活性剂和至少一种溶剂组合以形成混合物；

将所述混合物反应使镍离子还原以形成NiCuNW所必需的时间。

13.权利要求12的方法，其中所述混合物不包含氢氧化物盐例如NaOH。

14.权利要求12-13的方法，其中所述反应包括加热。

15.权利要求14的方法，其中所述加热在约70℃至约150℃范围内的温度下进行。

16.权利要求12-15的方法，其还包括收集所述NiCuNW。

17.权利要求12-16任一项的方法，其还包括用洗涤溶液洗涤收集到的NiCuNW。

18.权利要求12-17任一项的方法，其中所述还原剂包含选自以下的物质：肼、抗坏血酸、L(+)-抗坏血酸、异抗坏血酸、抗坏血酸衍生物、草酸、甲酸、亚磷酸盐、亚磷酸、亚硫酸盐、硼氢化钠及其组合。

19.权利要求12-18任一项的方法，其中所述还原剂包含肼。