[发明专利]使用不连续激光刻划线的方法及结构

权利要求书

1.一种形成一薄膜光伏打模块的方法，该方法包含：

提供具有一第一表面及一与该第一表面相对的第二表面的基板，其中该基板具有一耦接至该第一表面的第一导电层；

移除该第一导电层的一部分，以暴露该第一表面的一部分；

形成耦接至该第一导电层的剩余部分及该第一表面的该部分的至少一个半导体层；

使用激光能量移除该至少一个半导体层的一第一部分，以形成多个延伸穿过该至少一个半导体层的该经移除的第一部分至该第一导电层的不重叠通孔；

形成一耦接至该至少一个半导体层的一剩余部分及该第一导电层的通过该多个通孔暴露的部分的第二导电层；及

使用激光能量移除该第二导电层的一部分，以暴露该至少一个半导体层的一第二部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成该多个不重叠通孔的各个包含使用一单一激光脉冲去除该至少一个半导体层的一个别部分。

3.如权利要求1所述的方法，其中：

该多个不重叠通孔沿一第一路径布置；且该至少一个半导体层的该第二部分沿一大体上平行于该第一路径的第二路径布置。

4.如权利要求1所述的方法，其中该至少一个半导体层包含铜铟镓二硒化物。

5.如权利要求1所述的方法，其中该至少一个半导体层包含非晶硅、碲化镉或铜铟二硒化物中的至少一个。

6.如权利要求1所述的方法，其中该多个不重叠通孔的各个特征在于一预定截面面积，且邻近通孔之间的一间距大于该截面面积的一第一尺寸且小于该截面面积的一第二尺寸。

7.如权利要求6所述的方法，其中：

该预定截面面积包含一圆形；

该截面面积的该第一尺寸为该圆形的一半径；且

该截面面积的该第二尺寸为该圆形的一直径。

8.如权利要求3所述的方法，其中该多个不重叠通孔的各个特征在于在该第二路径的一方向上伸长的一预定截面面积。

9.一种在布置于一基板上的一薄膜结构中刻划一图案的激光基处理方法，该薄膜结构包含一耦接至该基板的第一导电层、耦接至该第一导电层的至少一个半导体层，及一耦接至该至少一个半导体层的第二导电层，该方法包含：

引导一系列激光脉冲来撞击该薄膜结构，其中该系列激光脉冲的特征在于一光子能量大于与该至少一个半导体层的至少一个层相关联的一带隙能量；及

使用该系列激光脉冲的能量移除该第二导电层的一部分，以形成自该第二导电层的一第一表面延伸至该至少一个半导体层的至少一个连续凹槽。

10.如权利要求9所述的方法，其中引导该系列激光脉冲来撞击该薄膜结构包含照射该第二导电层的该第一表面。

11.如权利要求9所述的方法，其中该至少一个半导体层包含铜铟镓二硒化物或铜铟二硒化物。

12.如权利要求11所述的方法，其中该光子能量为约2.23eV。

13.如权利要求9所述的方法，其中该第二导电层包含透明导电氧化物。

14.如权利要求9所述的方法，其中该至少一个连续凹槽大体上未延伸至该至少一个半导体层中。

15.一种薄膜光伏打装置，其包含：

一基板，其具有一第一表面及一与该第一表面相对的第二表面；

一第一导电层，该第一导电层经耦接至该基板的该第一表面，其中该第一导电层包括延伸穿过该第一导电层的一第一部分至该基板的该第一表面的一部分的至少一个第一凹槽；

至少一个半导体层，该至少一个半导体层经耦接至该第一导电层的一剩余部分及该基板的该第一表面的该部分，其中该至少一个半导体层包括多个不重叠通孔，各通孔延伸穿过该至少一个半导体层的一部分至该第一导电层的一部分；及

一第二导电层，该第二导电层经耦接至该至少一个半导体层的一剩余部分及该第一导电层的各部分，其中该第二导电层包括延伸穿过该第二导电层的一部分至该至少一个半导体层的一部分的至少一个第二凹槽。