[发明专利]汽相沉积设备及方法中的高发射率分送板

权利要求书

1.一种用于使升华的源材料的汽相沉积作为基底上的薄膜的设备，所述设备包括：

沉积头；

容器，其设置在所述沉积头中，所述容器被构造成用于接收源材料；

加热分送歧管，其设置在所述容器下方，所述加热分送歧管被构造成将所述容器加热至足以使所述源材料在所述容器内升华的程度；以及

沉积板，其设置在所述分送歧管下方并且在被传送穿过所述设备的基底的上表面的水平传送平面上方的限定距离处，所述分送板限定了穿过其的通路的图案，其进一步分送穿过所述分送歧管的所述升华的源材料，其中所述分送板在沉积期间的板温度下具有大约0.7至理论上最大1.0的范围内的发射率。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分送板在沉积期间的所述板温度下具有大约0.85至大约0.95的发射率。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分送板包括石墨。

4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分送板包括陶瓷材料。

5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述陶瓷材料包括氧化铝。

6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分送板包括具有表面涂层的芯板。

7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述表面涂层包括高发射率材料，所述高发射率材料在沉积期间的板温度下具有大约0.7至理论上最大1.0的范围内的发射率。

8.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述表面涂层包括石墨。

9.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分送板包括第一层和第二层，其中所述第一层面朝向所述加热分送歧管，并且所述第二层面朝向所述基底的所述上表面的水平传送平面。

10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述第一层具有第一发射率，并且所述第二层具有第二发射率，其中所述第一发射率不同所述第二发射率。

11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述第一发射率高于所述第二发射率。

12.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述第一发射率低于所述第二发射率。

13.一种用于使升华的源材料的汽相沉积作为基底上的薄膜的设备，所述设备包括：

沉积头；

容器，其设置在所述沉积头中，所述容器被构造成用于接收源材料；

加热分送歧管，其设置在所述容器下方，所述加热分送歧管被构造成将所述容器加热至足以使源材料在所述容器内升华的程度；以及，

沉积板，其设置在所述分送歧管下方并且在被传送穿过所述设备的基底的上表面的水平传送平面上方的限定距离处，所述分送板限定了穿过其的通路的图案，其进一步分送穿过所述分送歧管的所述升华的源材料，其中所述分送板包括面朝向所述加热分送歧管的第一层以及面朝向所述基底的所述上表面的水平传送平面的第二层，并且其中所述第一层具有第一发射率，并且所述第二层具有第二发射率，其中在沉积期间的板温度下所述第一发射率低于所述第二发射率。

14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述第二层包括石墨。

15.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述第二层包括陶瓷材料。

16.根据权利要求15所述的设备，其特征在于，所述陶瓷材料包括氧化铝。

17.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述第二层包括具有至少0.8的发射率的高发射率材料。

18.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述第一层被焊接到所述第二层上。