[发明专利]太阳能电池设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201280066596.4 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN104054182B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 尹希京 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池设备，包括：
支撑基板；
在所述支撑层上的背电极层；
在所述背电极层上的光吸收层；
在所述光吸收层上的具有第一导电率的第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上的具有第二导电率的第二缓冲层；以及
在所述第二缓冲层上的窗口层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述第一缓冲层包括InP。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述第二缓冲层包括CdS。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述第一缓冲层具有1.2eV至1.4eV范围内的能带隙。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述第一缓冲层具有30至80范围内的厚度。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述第二缓冲层具有20至80范围内的厚度。
7.一种制造太阳能电池设备的方法，所述方法包括：
在支撑层上形成背电极层；
在所述背电极层上形成光吸收层；
在所述光吸收层上形成具有第一导电率的第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上形成具有第二导电率的第二缓冲层；以及
在所述第二缓冲层上形成具有第二导电率的窗口层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一缓冲层包括In和P，并且所述第一缓冲层通过MOCVD形成。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二缓冲层包括CdS。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一缓冲层具有1.2eV至1.4eV范围内的能带隙。
11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一缓冲层具有30至80范围内的厚度。
12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二缓冲层具有20至80范围内的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
