[发明专利]具有防腐蚀压焊连接的电子构件和用于制造该构件的方法

权利要求书

1.具有防腐蚀压焊连接的电子构件，包括：

-在衬底(4)上的至少一个半导体芯片(3)；

-在半导体芯片(3)上的至少一个承受腐蚀风险的压焊连接；

-密闭包封至少一个半导体芯片(3)和至少一个承受腐蚀风险的压焊连接的外壳(5)，其中压焊连接是压焊引线连接(2)，以及其中压焊连接(2)完全地与至少部分的衬底(4)密闭包封在外壳(5)内，以及其中在衬底(4)上设置至少一个可表面安装的易水解结构元件(6)。

2.按权利要求1所述的电子构件，其中，易水解结构元件(6)具有上面(7)、底面(8)和设置在上面(7)与底面(8)之间的边缘面(9)，以及其中易水解结构元件(6)的底面(8)具有可表面安装的分子层(10)。

3.按权利要求1或权利要求2所述的电子构件，其中，易水解结构元件(6)具有易水解的芯材(11)，该芯材消除外壳(5)的内腔(12)大气中的水分子。

4.按权利要求3所述的电子构件，其中，易水解结构元件(6)的芯材(11)至少在易水解结构元件(6)的上面(7)和边缘面(9)上具有半渗透性的涂层，以及其中半渗透性的涂层支撑易水解结构元件(6)的形状并对水分子是渗透性的。

5.按前述权利要求之一所述的电子构件，其中，易水解的元件(6)具有易水解的塑料。

6.按权利要求5所述的电子构件，其中，塑料具有易水解的聚合物，该聚合物在其水解时从外壳(5)的内腔(12)提取水分子。

7.按权利要求5或权利要求6所述的电子构件，其中，易水解的塑料通过水解在塑料超过玻璃化转变温度时具有强化的皂化。

8.按权利要求5-7之一所述的电子构件，其中，塑料是易水解的聚酯。

9.按权利要求5-8之一所述的电子构件，其中，塑料是易水解的聚对苯二甲酸二丁酯。

10.用于制造按前述权利要求之一所述电子构件(1)的方法，该方法具有以下方法步骤：

-制造至少一个半导体芯片(3)；

-将至少一个半导体芯片(3)安装在衬底(4)上；

-在至少一个半导体芯片(3)与衬底(4)之间制造至少一个压焊引线连接(2)；

-将具有易水解材料的至少一个结构元件(6)表面安装在衬底(4)上；

-将至少一个半导体芯片(3)、至少一个压焊引线连接(2)、至少一个具有易水解材料的结构元件(6)和至少部分衬底(4)密闭封装在外壳(5)内；

-在消除外壳(5)的内腔(12)的气氛的水分子情况下在温度超过易水解材料的玻璃化转变温度时将电子构件(1)退火。