[发明专利]三卤硅烷精炼设备

权利要求书

1.一种三卤硅烷精炼设备，包括：

分隔壁精馏塔，所述分隔壁精馏塔具有安装在其中的分隔壁，所述分隔壁中具有相对于所述分隔壁精馏塔的总理论板数的30％或更多的长度；以及

第一精馏塔，耦接到所述分隔壁精馏塔，

其中，所述分隔壁精馏塔包括上塔区、初步分离区、主分离区和下塔区，并且所述分隔壁精馏塔中装有用于引导包含三卤硅烷的进料进入所述初步分离区中的入口、第一出口、第二出口和第三出口。

2.根据权利要求1所述的三卤硅烷精炼设备，其中，所述分隔壁的长度大于或等于所述分隔壁精馏塔的总理论板数的40％。

3.根据权利要求1所述的三卤硅烷精炼设备，其中，所述上塔区或所述下塔区具有800mm至3,500mm的开放长度。

4.根据权利要求1所述的三卤硅烷精炼设备，其中，所述入口被安装在所述初步分离区的1/10至9/10区段以引入所述进料。

5.根据权利要求1所述的三卤硅烷精炼设备，其中，所述第二出口形成在所述分隔壁精馏塔的所述主分离区中的所述分隔壁区段的1/9至8/9区段。

6.根据权利要求5所述的三卤硅烷精炼设备，其中，所述第一精馏塔耦接到所述分隔壁精馏塔以引入通过所述第二出口流出的组分。

7.根据权利要求1所述的三卤硅烷精炼设备，其中，所述第三出口被安装在所述分隔壁精馏塔处以使所述下塔区中的组分能流出，并且所述三卤硅烷精炼设备进一步包括耦接到所述分隔壁精馏塔以引入通过所述第三出口流出的组分的第二精馏塔。

8.根据权利要求1所述的三卤硅烷精炼设备，进一步包括第三精馏塔，所述第三精馏塔被安装用于引入从所述第一精馏塔的下部流出的组分。

9.一种三卤硅烷精炼方法，包括：

将包含三卤硅烷的进料引入分隔壁精馏塔中,所述分隔壁精馏塔具有安装在其中的分隔壁，所述分隔壁中具有相对于所述分隔壁精馏塔的总理论板数的30％或更多的长度；以及

将从所述分隔壁精馏塔流出的流出物引入第一精馏塔,

其中，所述分隔壁精馏塔包括上塔区、初步分离区、主分离区和下塔区，并且所述分隔壁精馏塔中安装有用于引导所述包含三卤硅烷的进料进入所述初步分离区中的入口、第一出口、第二出口和第三出口。

10.根据权利要求9所述的三卤硅烷精炼方法，其中，所述进料通过被安装在所述初步分离区的1/10至9/10区段的所述入口被引入所述初步分离区。

11.根据权利要求9所述的三卤硅烷精炼方法，其中，所述第二出口形成在所述分隔壁精馏塔的所述主分离区中的所述分隔壁区段的1/9至8/9区段，并且通过所述第二出口流出的组分被引入所述第一精馏塔中。

12.根据权利要求11所述的三卤硅烷精炼方法，其中，所述第二出口或通过所述第二出口流出的流出物在5.8Kg/sqcmG的压力下被维持在86.4℃至116.4℃的温度下。

13.根据权利要求9所述的三卤硅烷精炼方法，其中，所述第一精馏塔保持在–0.6Kg/sqcmG至9.0Kg/sqcmG的工作压力下以及37℃至145℃的工作温度下。

14.根据权利要求9所述的三卤硅烷精炼方法，其中，所述第三出口被安装在所述分隔壁精馏塔上以使所述下塔区中的组分能流出，并且所述三卤硅烷精炼方法进一步包括将从所述第三出口流出的组分引入到第二精馏塔中。

15.根据权利要求14所述的三卤硅烷精炼方法，其中，所述第三出口或通过所述第三出口流出的流出物在5.8Kg/sqcmG的压力下被维持在129.9℃至159.9℃的温度。

16.根据权利要求14所述的三卤硅烷精炼方法，其中，所述第二精馏塔被维持在0.1Kg/sqcmG至52.5Kg/sqcmG的工作压力下以及37℃至223.5℃的工作温度下。

17.根据权利要求9所述的三卤硅烷精炼方法，进一步包括：

将从所述第一精馏塔的下部流出的流出物引入到第三精馏塔中。

18.根据权利要求17所述的三卤硅烷精炼方法，其中，所述第三精馏塔被维持在0.1Kg/sqcmG至50.5Kg/sqcmG的工作压力下以及37℃至219.5℃的工作温度下。