[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置(10)，其具有半导体基板(12)，其中，

半导体基板(12)具有：

有源区(20)，其上形成有半导体元件；

有源区(20)与半导体基板(12)的端面(12a)之间的外围区(50)，

在外围区(50)的至少一部分的上表面上形成有绝缘层(58)，

在绝缘层(58)内，沿着从有源区(20)朝向半导体基板(12)的端面(12a)的方向以隔开间隔的方式而配置有多个浮置电极(40)，所述浮置电极(40)的半导体基板(12)的厚度方向上的宽度大于从有源区(20)朝向半导体基板(12)的端面(12a)的方向上的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

被配置在绝缘层(58)内的浮置电极(41～45)露出于所述绝缘层(58)的上表面或下表面中的至少一个面。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在用与所述厚度方向正交的平面切断所述绝缘层(58)而得到的任意截面中，在从有源区(20)朝向半导体基板(12)的端面(12a)的任意直线上至少存在有一个浮置电极(41～45)。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

浮置电极(40)露出于所述绝缘层(58)的上表面，未露出于所述绝缘层(58)的下表面。

5.如权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

浮置电极(41～42)露出于所述绝缘层(58)的上表面以及下表面。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

被配置在绝缘层(58)内的多个浮置电极(43～45)具有露出于所述绝缘层(58)的上表面的第一浮置电极(43a1～43c1、44a1～44c1、45a1～45c1)和露出于所述绝缘层(58)的下表面的第二浮置电极(43b2、44b2、45b2)，并且第一浮置电极(43a1～43c1、44a1～44c1、45a1～45c1)与第二浮置电极(43b2、44b2、45b2)被交替地配置。

7.如权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

在用与浮置电极(41～45)的长度方向正交的平面切断浮置电极(41～45)而得到的截面中，浮置电极(41～45)的下表面与侧面的拐角部呈曲线状。

8.一种制造方法，其为半导体装置的制造方法，包括：

在半导体基板中的形成有半导体元件的有源区与成为半导体装置的端面的位置之间的外围区上形成绝缘层的工序；

在绝缘层上，沿着从有源区朝向成为半导体装置的端面的位置的方向以隔开间隔的方式而形成多个沟槽的工序，所述沟槽的半导体基板的厚度方向上的宽度大于从有源区朝向成为半导体基板的端面的位置的方向上的宽度；

在绝缘层上形成金属层的工序；

在不对沟槽的上部的金属层进行掩蔽的状态下，以在各个沟槽内留有金属层并且各个沟槽内的金属层被相互分离的方式对金属层进行蚀刻的工序。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中，

在形成绝缘层的工序中，还在有源区上形成绝缘层，

在形成金属层的工序之前，还具有在有源区上的绝缘层上形成接触孔的工序，

在形成金属层的工序中，还在接触孔内形成金属层，

对金属层进行蚀刻的工序是在对接触孔的上部的金属层进行了掩蔽的状态下实施的。

10.如权利要求9所述的制造方法，其中，

通过共同的蚀刻来实施形成沟槽的工序和形成接触孔的工序。