[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201280066800.2 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN104040721A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 舩越康志 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/225;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
半导体基板、和
设置于所述半导体基板的一侧表面的掺杂剂扩散区域,
在所述半导体基板的所述表面形成有研磨粒痕,
所述掺杂剂扩散区域具有沿与所述研磨粒痕的伸长方向形成的角度在-5°~+5°范围内的方向伸长的部分,
所述掺杂剂扩散区域通过从设置于所述半导体基板的一侧表面的掺杂糊扩散掺杂剂而形成。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述掺杂剂扩散区域具有n型掺杂剂扩散区域及p型掺杂剂扩散区域的至少一方,还具备:
设置于所述n型掺杂剂扩散区域上的n型用电极、和
设置于所述p型掺杂剂扩散区域上的p型用电极。
3.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
在半导体基板的表面形成向一个方向伸长的研磨粒痕的工序;
在所述半导体基板的所述表面的一部分上设置掺杂糊的工序,该掺杂糊具有沿与所述研磨粒痕的伸长方向形成的角度在-5°~+5°范围内的方向伸长的部分;
由所述半导体基板的所述掺杂糊中的掺杂剂形成掺杂剂扩散区域的工序。
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
形成所述研磨粒痕的工序包括利用钢丝锯切断半导体晶锭的工序。
5.如权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在形成所述研磨粒痕的工序和设置所述掺杂糊的工序之间,包括刻蚀所述半导体基板的所述表面的工序。
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