[发明专利]被处理基体的处理方法

说明书

技术领域

本发明的各方面均涉及被处理基体的处理方法。

背景技术

在下述专利文献1中记载有一种被处理基体的处理方法。专利文献1所记载的方法涉及一种MOS晶体管的制造方法。在专利文献1所记载的方法中：(a)使形成于半导体基板上的氧化硅膜和多晶硅膜图案化而形成栅电极，(b)将栅电极用作掩模并向半导体基板注入离子而形成低浓度扩散区域，(c)在栅电极的侧壁上依次形成第1侧壁间隔层和第2侧壁间隔层，(d)将上述侧壁间隔层用作掩模并向半导体基板注入离子而形成高浓度扩散区域，(e)在栅电极和高浓度扩散区域上形成硅化镍层。

在MOS晶体管的制造方法中，有时第1侧壁间隔层由氧化硅构成且第2侧壁间隔层由氮化硅构成。另外，有时在形成硅化镍层之后利用干蚀刻去除第2侧壁间隔层。在第2侧壁间隔层的干蚀刻中，通常使用混合气体，该混合气体含有：氧气；含有碳和氟的气体(CF系气体)。

专利文献1：日本特开2006－339327号公报

发明内容

发明要解决的问题

如上述MOS晶体管的制造方法那样，在表面上具有含有硅化镍的层和含有氮化硅的层的被处理基体中，在利用干蚀刻去除含有氮化硅的层时，源自硅化镍层所含有的Ni的残留物(Residue)有时会堆积在被处理基体上。

因而，在该技术领域中，在对含有氮化硅的层应用干蚀刻时，需要抑制产生源自硅化镍所含有的Ni的残留物。

用于解决问题的方案

本发明的一发明提供一种被处理基体的处理方法，其中，该处理方法包括以下工序：(a)在处理容器内准备被处理基体的工序，该被处理基体的含有硅化镍的第1层和含有氮化硅的第2层暴露于该被处理基体的表面；以及(b)对第2层进行蚀刻的工序，在该蚀刻工序中，向该处理容器内供给不含有氧而含有碳和氟的第1处理气体，并在该处理容器内产生等离子体。

在利用干蚀刻去除在表面上具有氮化硅层和硅化镍层的被处理基体中的氮化硅层的情况下，通常使用混合气体，该混合气体含有：氧气；含有碳和氟的气体。其原因在于，相对于硅化镍层而选择性地对氮化硅层进行蚀刻。然而，在使用该混合气体的干蚀刻中，有时在被处理基体上产生含有Ni的残留物。能够推测该残留物是由于以下说明的机理而产生的。即，硅化镍被蚀刻，Ni与碳自由基和氧自由基相结合，结果生成Ni(CO)₄。然后，Ni(CO)₄发生解离而与氧气反应，结果生成(Ni(CO)_x)_n，该(Ni(CO)_x)_n作为残留物而堆积在被处理基体上。此外，x和n是1以上的整数。

另一方面，采用一发明的被处理基体的处理方法，由于在向处理容器内供给的第1处理气体中不含有氧，因此，能够抑制产生含有Ni的上述残留物。

在一技术方案中，也可以是，第1处理气体还含有氢。氢与第1处理气体中的氟相结合而有助于抑制过多的硅被蚀刻。该氢也可以以H₂气体的形态进行供给。

在一技术方案中，也可以是，被处理基体的处理方法还包括自在蚀刻工序中进行蚀刻后的被处理基体去除残留物的工序，在该工序中，向处理容器内供给不含有氧而含有氮和氢的第2处理气体，并在该处理容器内产生等离子体。

在使用上述第1处理气体进行蚀刻后，源自第1处理气体所含有的碳和氟的残留物(含有碳和氟的残留物)可能堆积在被处理基体上。为了去除含有碳和氟的残留物，也不使向处理容器内供给的第2处理气体含有氧，由此能够抑制产生含有Ni的残留物。

在一技术方案中，也可以是，在蚀刻工序之后，在不将被处理基体自处理容器取出的情况下在同一处理容器内进行去除含有碳和氟的残留物的工序。采用该技术方案，能够抑制氧进入到处理容器内。因而，能够抑制产生含有Ni的残留物。

在一技术方案中，第2处理气体也可以含有H₂气体和N₂气体。由H₂气体生成的自由基与含有碳和氟的残留物中的氟相结合，由N₂气体生成的自由基与含有碳和氟的残留物中的碳相结合。因而，采用该技术方案，能够有效地去除含有碳和氟的残留物。