[发明专利]具有改进的通带特性的横向耦合式体声波滤波器

权利要求书

1.一种横向耦合式体声波滤波器(70)，包括：

-用于携带体声波的振动层(73)，

-电极装置(71,72,74)，其包括：耦合于所述振动层(73)的第一电极(71)，用以激发至所述振动层(73)的至少一个具有第一频带的纵波模式和一个具有第二频带的剪切波模式，和耦合于所述振动层的第二电极(72)，用以感应滤波通过信号，其中所述第一和第二电极(71,72)相对于彼此横向设置，

-与所述振动层(73)声学连接的声学反射器结构(75)，

其特征在于，

-所述反射器结构(75)适于在所述第一频带处、比在所述第二频带处更有效地将所述振动层(73)与其周围环境声学隔离，从而在所述第二频带处抑制所述剪切波模式对所述滤波通过信号的影响。

2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，在电频率响应中，就插入损耗而言，与所述第一频带相比，所述第二频带抑制了至少6dB，特别为至少10dB。

3.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述反射器结构(75)包括非对称的多层结构(75a-e)，其中所述层的厚度和声学阻抗适于展现接近所述振动层(73)的第一区域中以及远离所述振动层的第二区域中的不同声学特性。

4.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述反射器结构(75)包括至少四层交替排列的高、低声学阻抗层(75a-e)的堆叠，其中所述低阻抗层(75a,75c,75e)中每一层的固有声学阻抗不大于所述高阻抗层(75b,75d)中任一层的固有声学阻抗。

5.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，

-所述堆叠中最靠近振动层(73)的最上层(75a)的厚度大于四分之一波长纵向反射器结构中相应层的计算层厚度，其反射率针对所述第二频带而处于最高，

-所述最上层(75a)下方的堆叠中的层(75b-e)中至少一层的厚度、优选为至少一半的层的厚度、典型地为所有层的厚度小于所述四分之一波长纵向反射器结构中相应层的计算层厚度，其反射率针对所述第二频带而处于最高。

6.根据权利要求4或5所述的滤波器，其特征在于，所述堆叠包括至少两个高声学阻抗层(75b,75d)，其中更远离所述振动层(73)的那一层(75d)比更接近所述振动层(73)的那一层(75b)厚。

7.根据权利要求4-6中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述堆叠包括至少三个低声学阻抗层(75a,75c,75e)，其最外层(75a,75e)不厚于所述最外层之间的低声学阻抗层(75c)中的任一层。

8.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述振动层(73)由压电材料制成，并且所述第一和第二电极(71,72)相对于彼此横向设置在所述振动层(73)一侧上，并且所述电极装置还包括设置在所述振动层(73)的相对侧上的第三平面电极(74)。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述振动层(73)由压电材料制成，并且所述第一和第二电极(71,72)设置在所述振动层(73)的一侧上，并且所述电极装置包括相对于彼此横向设置在所述振动层的相对侧上的第三和第四电极。

10.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述电极装置包括在所述振动层(73)的一侧或两侧上设置的叉指形构造中的两个分支电极。

11.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述纵波模式是一阶厚度延伸(TEL)模式，并且所述剪切波模式是二阶厚度剪切模式(TS2)。

12.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述剪切波模式的频率偏离于所述纵波模式的频率不超过15％。