[发明专利]流体压力传感器以及测量探针有效
申请号: | 201280067062.3 | 申请日: | 2012-12-07 |
公开(公告)号: | CN104040315A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | E·东齐耶;E·塔韦尼耶 | 申请(专利权)人: | 欧芬菲尔德公司 |
主分类号: | G01L9/00 | 分类号: | G01L9/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 许剑桦 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流体 压力传感器 以及 测量 探针 | ||
1.一种流体压力测量传感器(11),包括微机电系统MEMS芯片(23),其中:
MEMS芯片(23)包括:两个侧壁(56);灵敏隔膜(49),所述灵敏隔膜与所述侧壁(56)连接;以及密封空腔(9);
灵敏隔膜(49)和侧壁(56)的外表面暴露于流体压力中;
侧壁(56)设计成使得灵敏隔膜(49)受到由相对侧壁(56)传递的压缩应力,其中,所述侧壁(56)与灵敏隔膜(49)连接,以使得灵敏隔膜(49)只在压缩中工作;以及
MEMS芯片(23)还包括应力检测电路(31),以便测量灵敏隔膜(49)的压缩状态,所述压缩状态与流体压力成比例。
2.根据权利要求1所述的流体压力传感器(11),其中:灵敏隔膜(49)具有矩形形状,包括两个长侧部(L),其中,通过所述灵敏隔膜的两个长侧部(L)而与所述灵敏隔膜(49)连接的两个相对的侧壁(56)设计成使得灵敏隔膜(49)受到沿与所述长侧部(L)垂直的方向的压缩应力。
3.根据前述任意一项权利要求所述的流体压力传感器(11),其中:空腔(9)充满气体,所述气体的参考压力小于流体压力。
4.根据权利要求2所述的流体压力传感器(11),其中:两个侧壁(56)由在MEMS芯片(23)的基体中切割的槽(51)来形成。
5.根据前述任意一项权利要求所述的流体压力传感器(11),其中:灵敏隔膜(49)通过弓形件(54)而与MEMS芯片(23)连接,所述弓形件(54)的曲率半径(R)等于大约50微米。
6.根据前述任意一项权利要求所述的流体压力传感器(11),其中:灵敏隔膜(49)为矩形形状,它的长度(L)大于它的宽度(l)的两倍。
7.根据前述任意一项权利要求所述的流体压力传感器(11),其中:应力检测电路(31)包括定位在灵敏隔膜(49)的中心中的横向量规(5a)和纵向量规(5b)。
8.根据前述任意一项权利要求所述的流体压力传感器(11),其中:MEMS芯片(23)包括至少一个电阻温度检测器(55a、55b),所述电阻温度检测器设计成测量沿晶体轴线定向的温度效果,对于所述晶体轴线,纵向量规系数和横向量规系数为零。
9.根据权利要求8所述的流体压力传感器(11),其中:电阻温度检测器(55a、55b)采取多个人字形的形状,这些人字形在它们的侧端处连接在一起。
10.根据前述任意一项权利要求所述的流体压力传感器(11),其中:MEMS芯片(23)通过比所述MEMS芯片(23)小的接触表面(34)而附接在传感器本体上。
11.根据权利要求10所述的流体压力传感器(11),其中:在MEMS芯片(23)和传感器本体之间的所述接触表面(34)包括中心栓柱(37)和周边边缘(35),在MEMS芯片(23)和传感器本体之间的所述接触表面的面积小于MEMS芯片(23)面积的50%。
12.根据前述任意一项权利要求所述的流体压力传感器(11),其中:应力检测电路(31)包括Wheatstone电桥结构,所述电路不平衡,以使得对于与井底压力相对应的压力,电桥的电压输出范围对应于接近于零的电压。
13.根据前述任意一项权利要求所述的流体压力传感器(11),其中:应力检测电路(31)的输出的参考值对应于与MEMS芯片(23)连接的数据处理装置(70)的输入范围的起点。
14.根据前述任意一项权利要求所述的流体压力传感器(11),还包括:布置在MEMS芯片(23)的支承元件和本体壳体之间的压力馈通(45),所述压力馈通包括至少一个传导元件(41),所述传导元件(41)设计成允许在数据处理装置(70)和MEMS芯片(23)之间电连接。
15.根据前述任意一项权利要求所述的流体压力传感器(11),其中:灵敏隔膜(49)通过其它惰性流体(17)而受到要被测量的流体的压力,所述其它惰性流体通过可变形的保护薄膜(24)而与第一流体分离。
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