[发明专利]半导体装置以及使用了该半导体装置的电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1导电型半导体基板；

阳极区域，其设置于所述半导体基板的第1表面；

第1导电型阴极区域，其设置于所述半导体基板的第2表面；和

阳极电极，

所述半导体装置的特征在于，

在所述第1表面，具备第1导电型阳极区域与第2导电型阳极区域相邻的结构，

所述第2导电型阳极区域与所述阳极电极相连接，

所述第1导电型阳极区域经由开关与所述阳极电极相连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第2导电型阳极区域与所述半导体基板的边界面，设置第1导电型空穴势垒层，

所述第1导电型空穴势垒层的杂质浓度高于所述半导体基板的杂质浓度。

3.一种半导体装置，具备：

第1导电型半导体基板；

阳极区域，其设置于所述半导体基板的第1表面；

第1导电型阴极区域，其设置于所述半导体基板的第2表面；和

阳极电极，

所述半导体装置的特征在于，

在所述第1表面设置如下结构：第1导电型阳极区域与第2导电型阳极区域被该半导体基板的第1导电体隔开并且相接近，

所述第1导电型阳极区域比所述第2导电型阳极区域薄，并且经由开关与所述阳极电极相连接，

所述第2导电型阳极区域与所述阳极电极相连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1导电型阳极区域与所述半导体基板的边界面，设置有第2导电型层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备控制部，该控制部控制为：在正向电压被施加到该半导体装置的期间，所述开关反复接通/断开。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制部控制为：在反向电压被施加到该半导体装置的期间，使所述开关接通。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述开关为MOSFET。

8.一种半导体装置，具备第1导电型半导体基板，

所述半导体装置的特征在于，在所述半导体基板的第1表面，具备：

第2导电型沟道区域；

栅极电极，其设置于贯通所述沟道区域而到达所述半导体基板的沟槽，并通过栅极绝缘膜与所述半导体基板以及所述沟道区域相绝缘；

第1导电型阳极区域，其设置在所述沟道区域的表面且与所述栅极绝缘膜相接的部位；和

阳极电极，其与所述沟道区域以及所述阳极区域相接。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

还具备控制部，在正向电压被施加到该半导体装置的期间，该控制部对所述栅极电极反复输出导通信号和截止信号。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

还具备控制部，在反向电压被施加到该半导体装置的期间，该控制部对所述栅极电极输出导通信号。

11.一种半导体装置，其具备第1导电型的半导体基板，

所述半导体装置的特征在于，

在所述半导体基板的第1表面，具备：

第2导电型沟道区域；

栅极电极，其设置于贯通所述沟道区域而到达所述半导体基板的沟槽，并通过栅极绝缘膜与所述半导体基板以及所述沟道区域相绝缘；

第1导电型发射极区域，其设置在所述沟道区域的表面且与所述栅极绝缘膜相接的部位；和

发射极电极，其与所述沟道区域以及该发射极区域相接，

在所述半导体基板的第2表面，具备第1导电型集电极区域与第2导电型集电极区域相邻的结构，

所述第2导电型集电极区域与集电极电极相连接，

所述第1导电型集电极区域经由开关与所述集电极电极相连接。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第2导电型集电极区域与所述半导体基板的边界面，设置第1导电型空穴势垒层，所述第1导电型空穴势垒层的杂质浓度高于所述半导体基板的杂质浓度。