[发明专利]激光器件

说明书

技术领域

本发明涉及包含环形谐振器的激光器件。

背景技术

近年来，随着光学互联技术的发展，希望实现适合低成本化的集成光收发器(transceiver)。作为用于实现这种集成光收发器的技术之一，硅光子学技术受到瞩目。例如，提出了如下的外部谐振器型激光器：在硅基板上利用III-V族化合物半导体形成发光元件，并利用硅波导型滤波器控制振荡模式。

图1及图2表示外部谐振器型激光器的例子。在图1所示的结构中，在1组反射器Rb、Rf之间产生振荡。此外，在图2所示的结构中，从半导体光放大器(SOA：SemiconductorOpticalAmplifier)向硅波导输出的光经由环形谐振器R1、R2返回SOA。然后，从硅波导返回的光在反射器Rb被反射，再次输出至硅波导。由此产生振荡。此外，在图1及图2所示的外部谐振器型激光器中，所生成的激光的波长由环形谐振器R1、R2的谐振波长决定。

有关图1所示结构的技术例如记载在专利文献1中。此外，有关图2所示结构的技术例如记载在专利文献2中。并且，其他关联技术记载在专利文献3中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-245344号公報

专利文献2：日本特开2009-200091号公報

专利文献3：日本特开2008-34657号公報

发明内容

发明所要解决的技术问题

在图1及图2所示的结构中，为了满足单一振荡模式的条件，需要精密地控制半径不同的环形谐振器R1、R2的谐振波长。因此，当因温度变化等而环形谐振器的谐振波长产生偏移时，有可能造成振荡特性变差。

在图1及图2所示的结构中，激光是从SOA出射。因此，例如，在向半导体基板上的设备供给激光时，需要进行光轴对准，不方便。

在图1所示的结构中，例如，也能够通过由半透半反镜(half mirror)实现反射器Rf来在半导体基板上得到激光。其中，此时，输出激光受到在环形谐振器R1、R2产生的损耗的影响。因此，在该结构中，难以高效地生成大功率的激光。

本发明的目的是提供一种高效地生成大功率的激光的激光器件。

用于解决技术问题的手段

本发明的1个方面的激光器件，光放大器，其具有第一光输出端面及第二光输出端面；第一反射器，其对从上述光放大器的第一光输出端面输出的光进行反射；环形谐振器；输入光波导，其与上述环形谐振器光学耦合；反射器光波导，其与上述环形谐振器光学耦合；第二反射器，其对在上述反射器光波导中传输的光进行反射；输出光波导；以及延迟干涉仪，其包括第一光耦合器、第二光耦合器以及1组光波导，上述1组光波导形成在上述第一光耦合器和上述第二光耦合器之间。上述光放大器的第二光输出端面和上述第一光耦合器的1个端口光学连接。上述第二光耦合器的1个端口和上述输入光波导光学连接。上述第二光耦合器的其他端口和上述输出光波导光学连接。

发明效果

根据上述方式，能够提供一种高效地生成高功率的激光的激光器件。

附图说明

图1是示出外部谐振器型激光器的一例的图。

图2是示出外部谐振器型激光器的其他例的图。

图3是示出实施方式的激光器件的结构的图。

图4是示出形成在半导体基板上的光波导的结构的截面图。

图5是用于说明激光振荡的图。

图6是示出环形谐振器及布拉格反射器的特性的图。

图7是示出与图6所示的状态对应的透射光谱的图。

图8是示出扩大反射带宽时所得到的透射光谱的图。

图9是示出环形谐振器、布拉格反射器、延迟干涉仪的特性的图。

图10是用于说明反射波段相对于所期望波长偏移的情形的图。

图11是表示图10所示的3个光谱之和的图。

图12是示出扩大布拉格反射器的反射带宽的状态的图。

图13是用于说明在反射带宽较宽时反射波段相对于所期望波长偏移的情形的图。

图14是表示图13所示的3个光谱之和的图。

图15是用于说明对延迟干涉仪的温度进行控制的结构的图。

图16是表示相对于温度控制的波长可变量的关系的图。

图17是表示具有实施方式的激光器件的光发送器的结构的图。

图18是示出具有实施方式的激光器件的光发送器的其他结构的图。

具体实施方式