[发明专利]变化的多层忆阻器件

权利要求书

1.一种变化的多层忆阻器件包括：

第一忆阻器件，堆叠在第二忆阻器件上；

其中所述第二忆阻器件的物理参数不同于所述第一忆阻器件的物理参数，以应对在所述忆阻器件的形成工艺期间所呈现的热预算差异，并获得特定的性能参数。

2.根据权利要求1的器件，其中所述物理参数包括以下至少一种：高掺杂区域的厚度、本征区域的厚度、金属层的厚度、材料的类型以及堆叠顺序。

3.根据权利要求1的器件，其中所述第二忆阻器件的高掺杂区域具有比所述第一忆阻器件的掺杂区域小的厚度。

4.根据权利要求1的器件，其中所述第一忆阻器件的所述物理参数和所述第二忆阻器件的所述物理参数的偏差被改变，以实现所述第一忆阻器件和所述第二忆阻器件之间处于预定容差水平内的相似性能。

5.根据权利要求1的器件，其中所述第一忆阻器件的所述物理参数和所述第二忆阻器件的所述物理参数的偏差被改变，以实现所述的第一忆阻器件和所述第二忆阻器件之间处于预定容差水平内的特定性能差异。

6.根据权利要求1的器件，其中所述性能参数包括以下至少一种：电流水平、非线性度以及操作电压。

7.根据权利要求1的器件，进一步包括堆叠在所述第二忆阻器件上的附加忆阻器件，所述附加器件中每一个的物理参数不同于其他器件的物理参数，以应对在所述忆阻器件的形成工艺期间所呈现的热预算差异，并获得特定的性能参数。

8.根据权利要求1的器件，其中所述第一忆阻器件的金属层不同于所述第二忆阻器件的金属层以补偿所述忆阻器件的形成之间的刻蚀差异。

9.一种用于制造变化的多层忆阻器件的方法，该方法包括：

形成具有第一组物理参数的第一忆阻层；以及

形成具有不同于所述第一组参数的第二组物理参数的第二忆阻层；

其中所述第一组参数和所述第二组参数之间的差异是为了应对在所述忆阻器件的形成工艺期间所呈现的热预算差异，以获得特定的性能参数。

10.根据权利要求9的方法，其中参数的所述组包括以下至少一个：高掺杂区域的厚度、本征区域的厚度、金属层的厚度、材料的类型以及堆叠顺序。

11.根据权利要求9的方法，其中所述第二忆阻器件的高掺杂区域具有比所述第一忆阻器件的掺杂区域小的厚度。

12.根据权利要求9的方法，其中所述第一组参数和所述第二组参数之间的差异用于实现所述第一忆阻器件和所述第二忆阻器件之间处于预定容差水平内的相似性能。

13.根据权利要求9的方法，其中所述第一组参数和所述第二组参数之间的差异用于实现所述第一忆阻器件和所述第二忆阻器件之间处于预定容差水平内的特定性能差异。

14.根据权利要求9的方法，其中所述性能参数包括以下至少一种：电流水平、非线性度以及操作电压。

15.一种多层忆阻交叉结构包括：

包括具有第一组物理参数的忆阻器件的阵列的第一层；以及

包括具有第二组物理参数的忆阻器件的第二阵列的第二层；

其中所述第一组参数和所述第二组参数之间的差异用于应对在所述忆阻器件的形成工艺期间所呈现的热预算差异，以获得特定的性能参数。