[发明专利]P‑型氧化物、用于制造P‑型氧化物的组合物、用于制造P‑型氧化物的方法、半导体元件、显示元件、图像显示装置、和系统

权利要求书

1.p-型氧化物，其包括：

氧化物，

其中所述氧化物包括：

Cu；和

元素M，其选自p区元素，并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态，其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态，

其中所述p-型氧化物是非晶的，并且

其中所述p-型氧化物不包含零价Cu金属或零价Cu合金。

2.根据权利要求1的p-型氧化物，其中元素M包括Sb、或Sn、或其两者。

3.用于制造p-型氧化物的组合物，其用于制造根据权利要求1或2任一项的p-型氧化物，

所述用于制造p-型氧化物的组合物包括：

溶剂；

含Cu化合物；和

含元素M的化合物，其中元素M选自p区元素，并且在作为离子存在时能够处于平衡状态，其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态。

4.用于制造根据权利要求1或2任一项的p-型氧化物的方法，所述方法包括：

将组合物施加在支持体上；和

在施加之后进行热处理，

其中所述组合物包括：

溶剂；

含Cu化合物；和

含元素M的化合物，其中元素M选自p区元素，并且在作为离子存在时能够处于平衡状态，其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态。

5.半导体元件，其包括：

活性层，

其中所述活性层包括根据权利要求1或2任一项的p-型氧化物。

6.根据权利要求5的半导体元件，其中所述半导体元件为二极管，其中所述二极管包括：

第一电极；

第二电极；和

形成于所述第一电极和所述第二电极之间的所述活性层。

7.根据权利要求5的半导体元件，其中所述半导体元件为场效应晶体管，其中所述场效应晶体管包括：

配置成施加栅电压的栅电极；

源电极和漏电极，这两者配置成引出电流；

形成于所述源电极和所述漏电极之间的所述活性层；和

形成于所述栅电极和所述活性层之间的栅绝缘层。

8.显示元件，其包括：

光控制元件，其光输出是对应于驱动信号进行控制的；和

驱动电路，其包括根据权利要求5的半导体元件，并且其配置成驱动所述光控制元件。

9.根据权利要求8的显示元件，其中所述光控制元件包括有机电致发光元件、电致变色元件、液晶元件、电泳元件、或电润湿元件。

10.图像显示装置，其对应于图像数据显示图像，所述图像显示装置包括：

以矩阵布置的多个各自根据权利要求8的显示元件；

配置成向所述显示元件的每一个中的各场效应晶体管单独地施加栅电压和信号电压的多条线；和

显示控制器件，其配置成对应于图像数据通过所述线单独地控制各场效应晶体管的栅电压和信号电压。

11.系统，其包括：

根据权利要求10的图像显示装置；和

图像数据形成装置，其配置成基于待显示的图像信息形成图像数据并且将所述图像数据输出至所述图像显示装置。