[发明专利]单芯片和双芯片备援有效
申请号: | 201280068687.1 | 申请日: | 2012-01-31 |
公开(公告)号: | CN104081373A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | G.戈斯丁;E.汉金 | 申请(专利权)人: | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F11/07;G06F11/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王洪斌;徐红燕 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 | ||
1.一种设备,包括:
存储器控制器,用于:
访问存储器的第一部分,存储器的第一部分以单芯片备援模式操作;以及
访问存储器的第二部分,存储器的第二部分以双芯片备援模式操作。
2.如权利要求1所述的设备,其中存储器控制器是用于下述各项的存储器控制器:
检测存储器的第一部分的第一区域中的错误;以及
把包含错误的第一区域转换为以双芯片备援模式操作。
3.如权利要求1所述的设备,其中存储器控制器是用于下述各项的存储器控制器:
检测存储器的第一部分的第一区域中的错误;
选择存储器的第一部分中的第二区域,所述第二区域在大小上等于第一区域;以及
在第一和第二区域之间转换缓存行以形成第三区域,所述第三区域以双芯片备援模式操作。
4.如权利要求3所述的设备,其中存储器的第一和第二区域在单个存储器总线上。
5.如权利要求3所述的设备,其中第一区域在第一存储器总线上,并且第二区域在第二存储器总线上。
6.一种方法,包括:
检测存储器的第一区域中的单芯片错误,存储器的第一区域以单芯片备援模式操作;
选择大小上等于存储器的第一区域的存储器的第二区域,存储器的第二区域以单芯片备援模式操作;以及
把存储器的第一和第二区域从单芯片备援模式转换到双芯片备援模式。
7.如权利要求6所述的方法,其中转换存储器的第一和第二区域进一步包括:
针对存储器的第一和第二区域中的缓存行计算双芯片备援错误修正代码;以及
把缓存行以及所计算的错误修正代码存储到存储器的第一和第二区域中,其中每个缓存行以及所计算的错误修正代码跨越存储器的第一和第二区域。
8.如权利要求7所述的方法,进一步包括:
确定第一双芯片备援基础,第一双芯片备援基础标识存储器的第一区域的开始;
确定第一双芯片备援限界,所述双芯片备援限界标识存储器的第一区域的结束;
确定第二双芯片备援基础,第二双芯片备援基础标识存储器的第二区域的开始;
确定第二双芯片备援限界,第二双芯片备援限界标识存储器的第二区域的结束;
把转换指针设置为指向第一和第二双芯片备援基础;以及
当转换指针小于第一和第二双芯片备援限界时:
读取由转换指针指向的缓存行,并且使用单芯片备援错误修正代码修正任何错误;以及
把转换指针推进到第一和第二区域中的下一个缓存行。
9.如权利要求8所述的方法,其中双芯片备援基础以上和转换指针以下的缓存行的访问处于双芯片备援模式。
10.如权利要求8所述的方法,其中转换指针以上和双芯片备援限界以下的缓存行的访问处于单芯片备援模式。
11.如权利要求8所述的方法,其中由转换指针指向的缓存行的访问被拒绝并且在随后的时间退出。
12.一种方法,包括:
检测以单芯片备援模式操作的存储器的部分中的错误;
确定被所述错误影响的存储器的第一区域;以及
把第一区域转换为以双芯片备援模式操作。
13.如权利要求12所述的方法,其中转换第一区域进一步包括:
确定大小上等于第一区域的存储器的第二区域,所述第二区域不包含错误并且以单芯片备援模式操作;
针对第一和第二区域中每个缓存行计算双芯片备援错误修正代码;
把每个缓存行以及所计算的错误修正代码存储在包括第一和第二区域的组合区域中。
14.如权利要求13所述的方法,进一步包括:
检测组合区域中的第二单芯片错误,第二错误在第二区域中发生;
把组合区域向回转换成第一存储器区域和第二存储器区域,其中第一和第二区域以单芯片备援模式操作;
确定大小上等于第一区域的存储器的第三区域,所述第三区域不包含错误并且以单芯片备援模式操作;
针对第一和第三区域中的每个缓存行计算双芯片备援错误修正代码;
把每个缓存行以及所计算的错误修正代码存储在包括第一和第三区域的组合区域中。
15.如权利要求14所述的方法,进一步包括:
确定大小上等于第二区域的存储器的第四区域,所述第四区域不包含错误并且以单芯片备援模式操作;
针对第二和第四区域中的每个缓存行计算双芯片备援错误修正代码;
把每个缓存行以及所计算的错误修正代码存储在包括第二和第四区域的组合区域中。
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