[发明专利]偏振分离元件有效
| 申请号： | 201280069065.0 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104126136A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 金台洙;金在镇;李钟炳;朴正岵;郑镇美;辛富建 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李静;黄丽娟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏振 分离 元件 | ||
1.一种紫外线偏振分离元件，包括：
基底；和
凹凸结构，该凹凸结构在所述基底上形成并包括含有硅的凸部和存在介电材料的凹部，以及
具有通过下面等式1计算的从0.74至10的a和从0.5至10的b：
[等式1]
(a+bi)2＝n12x(1-W/P)+n22x W/P
其中，在等式1中，i表示虚数单位，n1表示介电材料对波长为300nm的光的折射率，n2表示凸部对波长为300nm的光的折射率，W表示凸部的宽度，P表示凸部的间距。
2.一种紫外线偏振分离元件，包括：
基底；和
凹凸结构，该凹凸结构在所述基底上形成并包括含有硅的凸部和存在介电材料的凹部，以及
具有通过下面等式2计算的从1.3至10的c和从0.013至0.1的d：
[等式2]
(c+di)2＝n12x n22/((1-W/P)x n22+W x n12/P)
其中，在等式2中，i表示虚数单位，n1表示介电材料对波长为300nm的光的折射率，n2表示凸部对波长为300nm的光的折射率，W表示凸部的宽度，P表示凸部的间距。
3.一种紫外线偏振分离元件，包括：
基底；和
凹凸结构，该凹凸结构在所述基底上形成并包括含有硅的凸部和存在介电材料的凹部，以及
具有通过下面等式1计算的从0.74至10的a和从0.5至10的b，通过下面等式2计算的从1.3至10的c和从0.013至0.1的d：
[等式1]
(a+bi)2＝n12x(1-W/P)+n22x W/P
[等式2]
(c+di)2＝n12x n22/((1-W/P)x n22+W x n12/P)
其中，在等式1和2中，i表示虚数单位，n1表示介电材料对波长为300nm的光的折射率，n2表示凸部对波长为300nm的光的折射率，W表示凸部的宽度，P表示凸部的间距。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件，其中，所述介电材料对波长250nm至350nm的光的折射率在1至3的范围内。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件，其中，所述凸部对波长250nm至350nm的光的折射率在1至10的范围内。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件，其中，所述凸部具有消光系数为0.5至10的光吸收特性。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件，其中，所述凸部用选自硼、碳、氮、铝、磷、镓、锗、砷、铬和镍中的一种或多种掺杂。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件，其中，由下面等式3计算的D在0.67至0.98的范围内：
[等式3]
D＝(Tc-Tp)/(Tc+Tp)
其中，在等式3中，Tc表示在垂直于凸部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振分离元件的透过率，Tp表示在平行于凸部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振分离元件的透过率。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件，其中，所述凸部具有50nm至200nm的间距。
10.根据权利要求9所述的紫外线偏振分离元件，其中，所述凸部的宽度W与该凸部的间距P的比(W/P)为0.2至0.8。
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