[发明专利]用于生物化学应用中极低电流测量的噪声屏蔽技术

权利要求书

1.一种具有集成噪声屏蔽物的装置，包括：

基本上包围半导体装置的多个垂直屏蔽结构；以及

位于所述半导体装置上方的、基本上充满导电流体的开口；

其中，所述多个垂直屏蔽结构和所述导电流体屏蔽所述半导体装置免受环境辐射的影响。

2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：位于所述半导体装置下方的导电底部屏蔽物，其屏蔽所述半导体装置免受环境辐射的影响。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述导电底部屏蔽物包括金属层。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述导电底部屏蔽物包括衬底层。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述开口被配置为允许将生物样本引入至所述半导体装置中。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述垂直屏蔽结构包括多个通孔，其中，多个通孔中的每个将多于一个的导电层连接在一起。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述多个通孔被布置在围绕所述半导体装置的单一同心环中。

8.根据权利要求6所述的装置，其中，所述多个通孔被布置在多个同心环中，并且其中，第一通孔环中的通孔偏离于第二通孔环中的通孔。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电流体包括电解质。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置包括纳米孔装置，并且其中，所述纳米孔装置包括纳米孔阵列的单一单元。

11.根据权利要求1所述的装置，进一步包括形成所述集成噪声屏蔽物一部分的导电层；其中，所述导电层位于所述多个垂直屏蔽结构的上方，并且其中，所述导电层从所述多个垂直屏蔽结构水平且径向向外扩展，以屏蔽环境辐射免于通过所述多个垂直屏蔽结构之间的多个缝隙。

12.根据权利要求1所述的装置，进一步包括形成所述集成噪声屏蔽物一部分的多于一个的导电层；并且进一步包括在所述多于一个的导电层之间的氧化层，并且其中，所述氧化层被配置为形成电容器。

13.根据权利要求1所述的装置，进一步包括使导电层绝缘于所述导电流体的氧化层。

14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述氧化层被配置为形成电容器。

15.一种用于屏蔽装置免受噪声影响的方法，包括：

提供基本上包围半导体装置的多个垂直屏蔽结构；以及

提供位于所述半导体装置上方的、基本上充满导电流体的开口；

其中，所述多个垂直屏蔽结构和所述导电流体屏蔽所述半导体装置免受环境辐射的影响。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：提供位于所述半导体装置下方的导电底部屏蔽物，其屏蔽所述半导体装置免受环境辐射的影响。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述开口被配置为允许将生物样本引入至所述半导体装置中。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述垂直屏蔽结构包括多个通孔，其中，所述多个通孔中的每个将多于一个的导电层连接在一起。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述多个通孔被布置于围绕所述半导体装置的单一同心环中。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述多个通孔被布置于多个同心环中，并且其中，第一通孔环中的通孔偏离于第二通孔环中的通孔。

21.根据权利要求15所述的方法，其中，所述导电流体包括电解质。

22.根据权利要求15所述的方法，其中，所述装置包括纳米孔装置，并且其中，所述纳米孔装置包括纳米孔阵列的单一单元。