[发明专利]用于数据库辅助式重新质量鉴定光罩检验的方法及设备无效
申请号: | 201280069844.0 | 申请日: | 2012-10-01 |
公开(公告)号: | CN104137223A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 利赫-华·尹;文卡特拉曼·K·耶尔;石瑞芳 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/44;G03F1/36 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 数据库 辅助 重新 质量 鉴定 检验 方法 设备 | ||
1.一种提供用于检验晶片制作设施中的光罩的设计数据信息的方法,所述方法包括:
提供光罩设计数据,所述光罩设计数据规定形成于使用所述光罩的所述晶片上的多个可印刷特征及不形成于使用此光罩的所述晶片上的多个不可印刷特征,其中所述光罩设计数据可用于制作所述光罩;
从所述光罩设计数据产生减小的设计数据库,其中所述减小的设计数据库包含所述光罩的所述不可印刷特征的描述或图谱、所述光罩的多个单元间区域的描述或图谱及从所述光罩设计数据光栅化的灰度级光罩图像;及
将所述减小的设计数据库以及所述光罩传送到制作设施,使得所述减小的设计数据库可用于周期性地检验所述制作设施中的所述光罩。
2.根据权利要求1所述的方法,其中用于所述光罩的减小的设计数据库具有小于约200吉字节的大小。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述光罩设计数据包含将不印刷于使用由此光罩设计数据形成的所述光罩制作的晶片上的不可印刷特征。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述光罩设计数据包含专有信息,且所述减小的设计数据库不包含此专有信息。
5.根据权利要求1所述的方法,其中通过以下操作而产生所述光罩的所述不可印刷特征的所述描述或图谱:如果所述灰度级光罩图像的具有低于预定义阈值的经测量线宽度的每一特征处在距所述灰度级光罩图像的具有等于或高于所述预定义阈值的经测量线宽度的另一特征的预定义距离内,那么将此特征界定为不可印刷特征。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述不可印刷特征的所述描述或图谱规定每一不可印刷特征或不可印刷特征区域的大小及位置。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述减小的设计数据库包含呈具有不同于所述光罩设计数据中所规定的所含多个设计多边形的色彩的多个多边形的形式的所述不可印刷特征的图谱。
8.根据权利要求1所述的方法,其中通过检测所述灰度级光罩图像中的重复图案而产生所述单元间区域的所述描述或图谱。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述单元间区域的所述描述或图谱规定重复图案或每一重复图案区域的大小及位置。
10.根据权利要求1所述的方法,其中通过导致所述可印刷特征中的一些重复可印刷特征中的不对称的算法而产生所述光罩设计数据的所述不可印刷特征。
11.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在将所述减小的设计数据库以及所述光罩传送到制作设施之前压缩并加密所述减小的设计数据库。
12.一种用于提供用于检验晶片制作设施中的光罩的设计数据信息的系统,所述系统包括经配置用于执行以下操作的至少一个处理器及至少一个存储器:
接收光罩设计数据,所述光罩设计数据规定形成于使用所述光罩的所述晶片上的多个可印刷特征及不形成于使用此光罩的所述晶片上的多个不可印刷特征,其中所述光罩设计数据可用于制作所述光罩;及
从所述光罩设计数据产生减小的设计数据库,其中所述减小的设计数据库包含所述光罩的所述不可印刷特征的描述或图谱、所述光罩的多个单元间区域的描述或图谱及从所述光罩设计数据光栅化的灰度级光罩图像;及
将所述减小的设计数据库以及所述光罩传送到制作设施,使得所述减小的设计数据库可用于周期性地检验所述制作设施中的所述光罩。
13.根据权利要求12所述的系统,其中所述光罩设计数据包含将不印刷于使用由此光罩设计数据形成的所述光罩制作的晶片上的不可印刷特征。
14.根据权利要求12所述的系统,其中所述光罩设计数据包含专有信息,且所述减小的设计数据库不包含此专有信息。
15.根据权利要求12所述的系统,其中所述光罩的所述不可印刷特征的所述描述或图谱是通过以下操作而产生的:如果所述灰度级光罩图像的具有低于预定义阈值的经测量线宽度的每一特征处在距所述灰度级光罩图像的具有等于或高于所述预定义阈值的经测量线宽度的另一特征的预定义距离内,那么将此特征界定为不可印刷特征。
16.根据权利要求15所述的系统,其中所述不可印刷特征的所述描述或图谱规定每一不可印刷特征或不可印刷特征区域的大小及位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造