[发明专利]空白罩幕以及光罩的制造方法

权利要求书

1.一种空白罩幕，包括：

透明基板；

遮光膜图案，形成在所述透明基板的上表面上，以将所述透明基板的边缘区域定义为盲区；

相移层，形成为覆盖所述遮光膜图案以及所述遮光膜图案暴露出的所述透明基板的上表面；以及

硬罩膜，形成为与所述相移层的上表面接触，以作为所述相移层的蚀刻罩幕，

其中所述遮光膜图案与所述相移层的厚度经调整以确保所述盲区上的光学密度。

2.一种空白罩幕，包括：

透明基板；

相移层，形成在所述透明基板的上表面上；

遮光膜图案，形成在所述相移层的上表面上，以将所述透明基板的边缘区域定义为盲区；以及

硬罩膜，形成为覆盖所述遮光膜图案以及所述遮光膜图案暴露出的所述相移层，以作为所述相移层的蚀刻罩幕，

其中所述遮光膜图案与所述相移层的厚度经调整以确保所述盲区上的光学密度。

3.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，其中在200纳米或小于200纳米的曝光波长下，所述相移层具有透射率为0.1％至40％。

4.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，其中在200纳米或小于200纳米的曝光波长下，所述相移层具有相位移为170°至190°。

5.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，其中所述相移层具有厚度为100埃至1,000埃。

6.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，其中所述硬罩膜具有厚度为10埃至100埃。

7.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，其中所述相移层与所述硬罩膜各自具有单层形式或多层形式，并且以单层或以连续层来形成，所述单层的成份在厚度方向是均匀的，所述连续层的成份随着所述厚度方向而变化。

8.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，其中所述相移层包括硅以及至少一种选自由钛、钒、钴、镍、锆、铌、钯、锌、铬、铝、锰、镉、镁、锂、硒、铜、钼、铪、钽及钨所组成的族群的金属材料，并且可选择地包括至少一种选自由氮、氧及碳所组成的族群的材料。

9.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，还包括形成在所述硬罩膜上的光阻膜，

其中所述光阻膜具有厚度为300埃至2,000埃。

10.根据权利要求9所述的空白罩幕，其中所述光阻膜是由含有酸的材料来形成。

11.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，其中每一个所述盲区对于曝光波长具有光学密度为2.0至4.0。

12.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，其中所述遮光膜图案具有单层形式或多层形式，并且以单层或以连续层来形成，所述单层的成份在厚度方向是均匀的，所述连续层的成份随着所述厚度方向而变化。

13.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，其中所述遮光膜图案具有厚度为200埃至1,500埃。

14.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，还包括形成在所述遮光膜图案上的抗反射膜图案。

15.根据权利要求1或2所述的空白罩幕，其中所述遮光膜图案以及所述硬罩膜中的至少一个包括至少一种选自由钛、钒、钴、镍、锆、铌、钯、锌、铬、铝、锰、镉、镁、锂、硒、铜、钼、铪、钽、钨以及硅所组成的族群的材料，且可选择地包括至少一种选自由氮、氧以及碳所组成的族群的材料。