[发明专利]SLC-MLC损耗平衡

权利要求书

1.一种用于管理闪速存储设备中的单级单元(SLC)部分和多级单元(MLC)部分的使用的方法，该方法包含：

在具有控制器和与所述控制器进行通信的存储器的所述闪速存储设备中，其中该存储器包括所述SLC部分和所述MLC部分：

存取所述闪速存储设备的老化指标；

基于所述老化指标确定是否修改所述SLC部分和所述MLC部分之中的至少一个的操作；以及

响应于确定修改所述SLC部分和所述MLC部分之中的至少一个的操作，修改所述SLC部分和所述MLC部分之中的所述至少一个的操作。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述闪速存储设备的老化指标包含所述SLC部分或者MLC部分的部分或全部的老化指标。

3.如权利要求1所述的方法，其中，存取所述闪速存储设备的老化指标包含：

存取指示所述SLC部分的至少一部分的老化的SLC老化指标；以及

存取指示所述MLC部分的至少一部分的老化的MLC老化指标；

其中，基于所述SLC老化指标以及MLC老化指标这两者确定是否修改所述SLC部分和所述MLC部分之中的至少一个的操作。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述老化指标包含以下之中的一个或者多个：针对每个分区(逻辑的或者SLC/MLC)单独的或者平均的P/E块计数；剩下的全部的块的数量；剩下的备用的数量/故障的块的数量；基于ECC的位错误率(BER)；编程/擦除时间；CVD，状态转移电平。

5.如权利要求1所述的方法，其中，基于所述老化指标确定是否修改所述SLC部分和所述MLC部分之中的至少一个的操作包含：

比较所述老化指标与指示优选的SLC损耗对MLC损耗的数据构造；以及

基于所述比较确定修改所述操作。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述的指示优选的SLC损耗对MLC损耗的数据构造包含指示损耗的数据，使得所述SLC部分与所述MLC部分在所述闪速存储设备的寿命结束时达到最大数量的P/E周期。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述SLC部分或者所述MLC部分之中的至少一个的操作是基于参数的；并且

其中，修改所述SLC部分或者所述MLC部分之中的至少一个的操作包含改变所述参数的值。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述参数包含关于从所述SLC部分至所述MLC部分的冷数据驱逐的阈值。

9.如权利要求7所述的方法，其中，所述参数包含用于确定是否将主机数据写入到所述MLC部分或者所述SLC部分中的一个或多个阈值。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述SLC部分或者所述MLC部分之中的至少一个的操作是基于多个参数的；并且

还包含确定所述多个参数之中的一个或者多个以便进行修改；并且

其中，修改所述SLC部分或者所述MLC部分之中的至少一个的操作包含修改所确定的所述多个参数之中的一个或者多个。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述闪速存储设备的老化指标包含所述SLC部分或者所述MLC部分的部分或者全部的老化指标；并且

其中，基于所述SLC老化指标以及所述MLC老化指标确定所述多个参数之中的一个或者多个以便进行修改。

12.如权利要求10所述的方法，还包含选择一个或者多个值，用于所确定的所述多个参数之中的一个或者多个；并且

其中，修改所确定的所述多个参数之中的一个或者多个包含使用所选择的一个或者多个值以修改所确定的所述多个参数之中的一个或者多个。

13.一种存储设备，该设备包含：

包括单级单元(SLC)部分和多级单元(MLC)部分的存储器；以及与所述存储器进行通信的控制器，所述控制器被配置为：

存取所述闪速存储设备的老化指标；

基于所述老化指标确定是否修改所述SLC部分和所述MLC部分之中的至少一个的操作；以及

响应于确定修改所述SLC部分和所述MLC部分之中的至少一个的操作，修改所述SLC部分和所述MLC部分之中的所述至少一个的操作。