[发明专利]横向电场驱动用液晶显示元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及横向电场驱动用液晶显示元件的制造方法。

背景技术

用于液晶电视、液晶显示器等的液晶显示元件通常在元件内设有用于控制液晶的取向状态的液晶取向膜。

目前，根据工业上最普遍的方法，该液晶取向膜是通过用棉、尼龙、聚酯等布朝一方向擦拭形成于电极基板上的由聚酰胺酸和/或将其酰亚胺化了的聚酰亚胺形成的膜表面、即所谓的摩擦处理来制作的。

在液晶取向膜的取向过程中，对膜面进行摩擦处理的方法是简便且生产性优良的工业上有用的方法。但是，对液晶显示元件的高性能化、高清晰化、大型化的要求日益提高，由摩擦处理引起的液晶取向膜表面的损伤、扬尘、机械力或静电的影响、进而取向处理面内的不均匀性等各种问题日渐明显。

作为代替摩擦处理的方法，已知通过照射偏振紫外线来赋予液晶取向能力的光取向法。对基于光取向法的液晶取向处理，根据机理提出了利用光异构化反应的处理、利用光二聚化的处理、利用光分解反应的处理等(参考非专利文献1)。

例如，在专利文献1中，提出了将主链上具有环丁烷环等脂环结构的聚酰亚胺膜用于光取向法的方法。在使用采用了该光取向法的聚酰亚胺膜作为液晶取向膜的情况下，与其他方法相比具有高耐热性，因此可期待其有用性。

这样的具有环丁烷环等脂环结构的聚酰亚胺膜，通过照射短波长的紫外线，尤其是254nm附近的偏振紫外线，呈现出高各向异性，得到液晶取向性优良的液晶取向膜。但是，由于254nm附近的紫外线能量高，照射需要大量电力，不仅用于光取向处理的成本高，对环境的负荷也大。此外，为了使用能量更强的短波长的紫外线，认为也有给基板上形成的电极或薄膜晶体管(以下也记作TFT)带来损伤的可能性。

另一方面，利用光异构化或光二聚化的光取向法可通过照射波长300nm以上的偏振紫外线，赋予各向异性。但是，利用光异构化或光二聚化的光取向法所得到的液晶取向膜的取向限制力弱，在用于液晶显示元件的情况下，有产生残影的问题。

这里，已知对基板在水平方向(横向)上施加电场而驱动液晶分子的横向电场驱动方式(IPS：In-Plane Switching)的液晶显示元件。该横向电场驱动方式的液晶显示元件由于视角宽而有用，但由于容易受到液晶的取向状态的影响，有特别容易产生如上所述的残影的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开平9-297313号公报

非专利文献

非专利文献1：“液晶光取向膜”木户肋、市村功能材料1997年11月号Vol.17 No.1113-22页

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的目的在于提供一种可强化液晶的取向限制力、抑制残影的发生的横向电场驱动用液晶显示元件的制造方法。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明者为了实现上述目的，进行认真研究时发现，通过以下方法而得的横向电场驱动用的液晶显示元件可以实现上述目的，从而完成了本发明；该方法是使用添加了具有光聚合性基团的聚合性化合物的液晶，或使用由具有光聚合性基团的液晶取向剂而得的液晶取向膜，利用摩擦或光取向法实施取向处理，制作液晶晶胞后，藉由照射光使存在于液晶取向膜和液晶接触部分的光聚合性基团发生反应，藉此将与液晶取向膜接触的部分的液晶固化的方法。综上所述，本发明的技术内容如下所述。

1.一种横向电场驱动用液晶显示元件的制造方法，其特征在于，包括在基板上涂布液晶取向剂形成液晶取向膜并实施取向处理后，介由液晶将形成了该液晶取向膜的一对基板按照使所述液晶取向膜相对的条件对向配置，制作液晶晶胞，然后对该液晶晶胞进行光照射，使液晶中和/或液晶取向膜中的光聚合性基团进行反应的工序。

2.如1所述的横向电场驱动用液晶显示元件的制造方法，其特征在于，所述液晶含有具有所述光聚合性基团的聚合性化合物。

3.如1或2所述的横向电场驱动用液晶显示元件的制造方法，其特征在于，所述液晶取向剂含有所述光聚合性基团。

4.如1～3中任一项所述的横向电场驱动用液晶显示元件的制造方法，其特征在于，所述液晶取向剂含有在侧链上具有所述光聚合性基团的聚合物。

5.如1～4中任一项所述的横向电场驱动用液晶显示元件的制造方法，其特征在于，所述液晶取向剂含有具有所述光聚合性基团的聚合性化合物。

6.如3～5中任一项所述的横向电场驱动用液晶显示元件的制造方法，其特征在于，所述光聚合性基团为选自以下所示的光聚合性基团中的基团。