[发明专利]带有抑制器栅的阳极

权利要求书

1.一种方法，其包括：

对抑制器和阳极之间的抑制器区域施加抑制器电场，其中所述抑制器电场被选择来对电子提供沿着指向远离所述抑制器区域中的所述阳极的方向的力；

使第一成组的电子沿着与所述力相反的方向穿过所述抑制器区域并到达所述阳极；以及

使所述第一成组的电子的至少一部分与所述阳极相互作用。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一成组的电子的所通过部分在所述阳极处形成电流，且还包括：

根据所述电流的测定属性改变所述抑制器电场。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一成组的电子的所通过部分在所述阳极处形成电流，且还包括：

用所述电流驱动装置。

4.如权利要求1所述的方法，其还包括：

测量所述阳极的温度；以及

根据所述阳极的测定温度改变所述抑制器电场。

5.如权利要求1所述的方法，其还包括：

改变所述阳极的温度；以及

根据所述阳极的温度变化改变所述抑制器电场。

6.如权利要求1所述的方法，其还包括：

作为时间的函数来改变所述抑制器电场。

7.如权利要求1所述的方法，其还包括：

确定与所述第一成组的电子对应的电子传输时间；以及

根据所确定的电子传输时间改变所述抑制器电场。

8.如权利要求1所述的方法，其还包括：

确定与所述第一成组的电子对应的电子速率；以及

根据所确定的电子速率改变所述抑制器电场。

9.如权利要求1所述的方法，其中使第一成组的电子沿着与所述力相反的方向穿过所述抑制器区域并到达所述阳极包括：

利用所述抑制器电场加速所述第一成组的电子。

10.如权利要求1所述的方法，其还包括：

使第二成组的电子沿着所述力的方向通过。

11.一种装置，其包括：

阳极，其接受第一成组的电子；以及

抑制器，其被设置为邻近所述阳极并接受功率源以产生被选择来对电子提供沿着指向远离所述阳极的方向的力的抑制器电场，其中所述抑制器电场被进一步选择来使所述第一成组的电子到达所述阳极。

12.如权利要求11所述的装置，其中所述抑制器电场具有被选择来从所述阳极诱导具有高于阈值能量的能量的电子的电子发射的场强。

13.如权利要求11所述的装置，其中所述阳极接受所述第一成组的电子以产生电流。

14.如权利要求11所述的装置，其还包括：

由所述阳极支撑的介电层，所述介电层支撑所述抑制器。

15.如权利要求11所述的装置，其中所述阳极和所述抑制器被分开1-100nm的距离。

16.如权利要求11所述的装置，其还包括延伸穿过所述抑制器并到达所述阳极的至少一个电子能穿越路径。

17.如权利要求11所述的装置，其中所述阳极包括至少一个场发射修改特征。

18.如权利要求11所述的装置，其中所述阳极包括具有有相对于所述阳极的表面的选定取向的不对称费米表面的材料。

19.如权利要求11所述的装置，其中所述阳极包括具有在选定的电子能量的局部最小的状态密度的材料。

20.如权利要求11所述的装置，其还包括：

操作性地连接到所述功率源以改变所述抑制器电场的电路。

21.如权利要求20所述的装置，其还包括：

被配置来测量所述阳极处的电流并操作性地连接到所述电路的仪表，其中所述电路响应于所测定的电流来改变所述抑制器电场。

22.如权利要求20所述的装置，其还包括：

被配置来测量所述阳极处的温度并操作性地连接到所述电路的仪表，其中所述电路响应于所测定的温度来改变所述抑制器电场。

23.如权利要求20所述的装置，其中所述电路被配置来实质上周期性地改变所述抑制器电场。