[发明专利]光伏器件

权利要求书

1.一种光伏器件，其特征在于，包括：

结晶类半导体的衬底；和

形成在所述衬底的主面上的非晶态半导体层，

所述非晶态半导体层具有从所述衬底与所述非晶态半导体层的界面附近起沿膜厚方向呈阶梯状地减少的p型掺杂物密度分布。

2.如权利要求1所述的光伏器件，其特征在于：

所述衬底与所述非晶态半导体层的界面附近的2nm以内的区域中的p型掺杂物密度为1×10¹⁸/cm³以上5×10¹⁹/cm³以下。

3.如权利要求1所述的光伏器件，其特征在于：

所述衬底与所述非晶态半导体层的界面附近的2nm以内的区域中的氧密度为1×10¹⁹/cm³以上。

4.如权利要求1所述的光伏器件，其特征在于：

所述非晶态半导体层具有从所述衬底与所述非晶态半导体层的界面附近起沿膜厚方向呈阶梯状地减少的氧密度分布。

5.如权利要求3或4所述的光伏器件，其特征在于：

所述衬底与所述非晶态半导体层的界面附近的2nm以内的区域中的氧密度为p型掺杂物密度的10倍以上、低于1000倍。

6.如权利要求1～5中任一项所述的光伏器件，其特征在于：

p型掺杂物密度分布的所述阶梯状部分的膜厚范围为2nm以上5nm以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的光伏器件，其特征在于：

p型掺杂物密度分布的所述阶梯状部分的p型掺杂物密度为5×10¹⁷/cm³以上、低于5×10¹⁸/cm³。